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Si^(4+)离子对Y^(3+):PbWO_4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响
1
作者
张昕
廖晶莹
+5 位作者
谢建军
沈炳孚
邵培发
李长泉
袁辉
殷之文
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期931-937,共7页
Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试...
Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
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关键词
Y^3+:PbWO4晶体
钨酸铅
掺杂
辐照硬度
闪烁性能
钇(Ⅲ)
硅
(
ⅳ
)
离子
下载PDF
职称材料
题名
Si^(4+)离子对Y^(3+):PbWO_4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响
1
作者
张昕
廖晶莹
谢建军
沈炳孚
邵培发
李长泉
袁辉
殷之文
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期931-937,共7页
基金
国家自然科学基金重点项目(59932002)
文摘
Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
关键词
Y^3+:PbWO4晶体
钨酸铅
掺杂
辐照硬度
闪烁性能
钇(Ⅲ)
硅
(
ⅳ
)
离子
Keywords
lead tungstate
doping
radiation hardness
scintillation
分类号
O614.433 [理学—无机化学]
O743.4 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
Si^(4+)离子对Y^(3+):PbWO_4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响
张昕
廖晶莹
谢建军
沈炳孚
邵培发
李长泉
袁辉
殷之文
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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