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硅光探测器紫外响应的改善 被引量:1
1
作者 尹长松 朱晓刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期523-526,共4页
利用透过二氧化硅层进行杂质扩散的方法,获得低表面浓度浅结深并具有漂移自建场的掺杂层,制作最佳厚度的光透射膜,使硅光敏二极管的紫外响应获得改善,得到在254nm波长下响应度达0.18A/W的结果.
关键词 硅光探测器 紫外响应 电管
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全硅集成光学──理论与工艺(Ⅱ)(续一)──第二讲 1.3~1.6μm硅光探测器
2
作者 李国正 李道全 赵策洲 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期178-190,共13页
全硅集成光学──理论与工艺(Ⅱ)(续一)──第二讲1.3~1.6μm硅光探测器李国正(副教授)李道全(西安交通大学电子工程系,西安710049)赵策洲(西安电子科技大学历电子所,西安710071)1引言由于本征硅材料... 全硅集成光学──理论与工艺(Ⅱ)(续一)──第二讲1.3~1.6μm硅光探测器李国正(副教授)李道全(西安交通大学电子工程系,西安710049)赵策洲(西安电子科技大学历电子所,西安710071)1引言由于本征硅材料的长波吸收极限为1.1μm,因此用... 展开更多
关键词 集成 集成 硅光探测器
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硅光探测器紫外量子增益谱
3
作者 尹长松 李菁 朱晓刚 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1998年第1期77-80,共4页
对硅光探测器在紫外光波段的量子增益过程进行了分析,考虑到碰撞粒子的相对运动及终态的态密度分布,计算了增益谱.制作了紫外性能良好的硅光电二极管,测量了紫外光谱响应.对实验测量与理论计算进行了比较。
关键词 硅光探测器 量子产额 紫外量子增益
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提高硅光探测器量子效率技术与应用
4
作者 文雪冬 刘兴桂 苏伯玖 《激光技术》 CAS CSCD 1993年第5期301-302,共2页
本文介绍了提高硅光探测器量子效率的半球形点阵技术。介绍了运用这一技术制作的P-I-N和RAPD硅光探测器。
关键词 硅光探测器 量子效率 应用
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33元编码列阵硅光探测器光谱响应及暗电流测试
5
作者 曹远生 钟涛 《计测》 1993年第1期24-29,共6页
关键词 硅光探测器 谱响应 暗电流 测试
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组合型线列硅光探测器
6
《科学技术研究成果公报》 2003年第2期18-18,共1页
关键词 组合型线列硅光探测器 成像谱仪 拼接技术 纯化工艺 红外线
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硅紫外光伏探测器件响应度的研究 被引量:2
7
作者 陈炳若 李启亮 +2 位作者 高繁荣 王飚 李振 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1997年第5期641-646,共6页
分析了硅紫外光伏探测器件的响应度与器件使用模式之间的关系.研究了包括网格结构在内的3种版图设计及所对应的响应度.结果表明,网格结构对改善紫外响应度的实际作用只是减小了串联电阻.细致讨论了光伏器件串联电阻的主要来源,给... 分析了硅紫外光伏探测器件的响应度与器件使用模式之间的关系.研究了包括网格结构在内的3种版图设计及所对应的响应度.结果表明,网格结构对改善紫外响应度的实际作用只是减小了串联电阻.细致讨论了光伏器件串联电阻的主要来源,给出了串联电阻对紫外响应度发生显著影响时所对应的估算数值. 展开更多
关键词 紫外响应度 紫外探测器 探测器 电管
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硅光伏探测器探测α粒子研究
8
作者 罗明 张燕 +1 位作者 刘翠红 闫学昆 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1030-1031,共2页
采用蒙特卡罗方法计算了硅光伏探测器探测α粒子的能量分辨率等参数,通过实验测得了其α谱和探测效率。实验表明,硅光伏探测器对α粒子具有较高的探测效率和能量分辨率,受β、γ射线影响小,非常适合用作α粒子探测器。
关键词 探测器 Α粒子 能量分辨率 探测效率
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2CR系列硅光伏探测器温度补偿方法
9
作者 梁清华 赵丽 《辽宁工学院学报》 1994年第4期61-63,共3页
根据对沥清-苯溶液浓度测试仪中进行温度补偿的实践,介绍了三种对硅光伏探测器温度补偿的方法,并指出了这三种方法各自适应的情况及补偿精度的高低。
关键词 探测器 温度漂移 温度补偿 电器件
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再论硅光伏探测器的响应度
10
作者 袁涛 陈炳若 郑若成 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期77-80,共4页
实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时 ,开路电压 VOC存在异常现象 .在一定强度的光照下 VOC出现峰值 ,随后 VOC随入射光强的上升而下降 .本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析 ,认为该现象的产生是由于在金属与半... 实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时 ,开路电压 VOC存在异常现象 .在一定强度的光照下 VOC出现峰值 ,随后 VOC随入射光强的上升而下降 .本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析 ,认为该现象的产生是由于在金属与半导体之间形成了整流接触 。 展开更多
关键词 探测器 开路电压 并联电阻 串联电阻 整流接触 响应度 敏器件
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硅光伏探测器放大电路设计 被引量:1
11
作者 梁清华 赵丽 《辽宁工学院学报》 1994年第1期80-82,共3页
介绍了沥清-苯溶液浓度智能检测仪中硅光伏探测器放大电路的设计方法,并指出在设计这类电路时所应注意的问题。
关键词 探测器 放大电路 电池
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数字化探测器在PET设备中应用性能分析
12
作者 王双庚 聂生东 《中国医疗设备》 2021年第5期166-172,共7页
恶性肿瘤的发病率一直呈现上升趋势,并且有低龄化趋势,而正电子发射断层成像(Positron Emission Tomography,PET)检查在恶性肿瘤的早期筛查、分期和防治方面有极为重要的作用。本文将着重介绍一款新型PET/CT设备探测器,阐述数字化硅光... 恶性肿瘤的发病率一直呈现上升趋势,并且有低龄化趋势,而正电子发射断层成像(Positron Emission Tomography,PET)检查在恶性肿瘤的早期筛查、分期和防治方面有极为重要的作用。本文将着重介绍一款新型PET/CT设备探测器,阐述数字化硅光二极管探测器的设计结构、原理和性能参数,解析此新型的数字化硅光二极管探测器的应用对PET成像的空间分辨率、时间分辨率和灵敏度的影响。最终基于上述内容讨论数字化探测器相对于传统光电倍增管的巨大优势,以及大规模推广面临的一些问题。 展开更多
关键词 数字化二极管探测器 电倍增管 空间分辨率 时间分辨率
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硅基光电集成材料及器件的研究进展 被引量:1
13
作者 韦文生 张春熹 +1 位作者 周克足 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期31-35,共5页
以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基... 以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非共容,对实现OEIC行之有效。 展开更多
关键词 电集成材料 电集成器件 波导材料 制备技术 波导 传输损耗 硅光探测器 耦合方式
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掺Pr^(3+)离子的硫化物玻璃的红色发光
14
作者 丘邑 《稀土信息》 1999年第1期20-21,共2页
稀土离子硫化物玻璃,特别是掺Er<sup>3+</sup>离子的硫化物玻璃的发光日益引起人们的关注,原因在于它发射波长为1.54μm的光,这是光纤通讯用的重要波长。此外,还有其它稀土离子发射的光也能够用于光纤通讯。最近,比利时V.K.
关键词 硫化物玻璃 稀土离子 致发 纤通讯 红色发 效率 太阳能电池 Ar离子激 硫族化合物 硅光探测器
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多档位自动切换电流测量电路设计 被引量:1
15
作者 曹佃生 《福建电脑》 2014年第9期1-2,共2页
积分球设备中使用硅光电池进行电流测量,为实现对硅光电池输出的宽范围电流信号的测量,将电流划分为4个档位,分别设计了不同电流范围时的电流测量电路。使用单片机对各测量电路进行定时监测,根据测量结果自动对档位进行切换,使测量档位... 积分球设备中使用硅光电池进行电流测量,为实现对硅光电池输出的宽范围电流信号的测量,将电流划分为4个档位,分别设计了不同电流范围时的电流测量电路。使用单片机对各测量电路进行定时监测,根据测量结果自动对档位进行切换,使测量档位的测量范围与实际电流匹配,从而保证设计的测量电路具有宽的测量范围的同时能够保证测量精度。 展开更多
关键词 电流测量 硅光探测器 自动切换 电路设计
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精品推介
16
《传感器世界》 2004年第1期44-47,共4页
关键词 ADXL系列 MEMS加速计 HART协议 二氧化碳荧纤传感器 硅光探测器 液位开关 双轴倾角计
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Numerical Simulation of Spectral Response for 650 nm Silicon Photodetector 被引量:7
17
作者 LIU Li-na, CHEN Chao, LIU Cai-hong(Dept.of Phy.,Xiamen University,Xiamen 361005,CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2003年第2期82-88,共7页
The theoretical spectral response formula of the N+-N-I-P+ silicon photodetector with high/low emission junction is given. At the same time, considering the process requirements, the optimum structure parameters of si... The theoretical spectral response formula of the N+-N-I-P+ silicon photodetector with high/low emission junction is given. At the same time, considering the process requirements, the optimum structure parameters of silicon photodetector are obtained by numerical calculation and simulation. Under the condition of these optimum structure parameters, the responsivity of the silicon photodetector will be 0.48 A/W at 650 nm. 展开更多
关键词 spectral response SILICON PHOTODETECTOR
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Development of Electron Temperature Measuring System by Silicon Drift Detector
18
作者 SONG Xianying YANG Jinwei LIAO Min LI Xu ZHANG Yipo FUBingzhong LUO Cuiwen 《Southwestern Institute of Physics Annual Report》 2005年第1期20-22,共3页
The soft X-ray spectroscopy, laser Thomson scattering and electron cyclotron emission ( ECE ) are usually adopted for electron temperature measurement in fusion research of magnetic confinement. The particular soft ... The soft X-ray spectroscopy, laser Thomson scattering and electron cyclotron emission ( ECE ) are usually adopted for electron temperature measurement in fusion research of magnetic confinement. The particular soft X-ray spectroscopy has the very good spatial-temporal resolution and smaller measuring error than laser Thomson scattering, a close spatial-temporal resolution to ECE, absolute measurement ability, and smaller influence by suprathermal and runaway electrons than ECE. 展开更多
关键词 Soft X-ray spectroscopy Silicon drift detector Electron temperature
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热门实用专利技术
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《科技开发动态》 2003年第9期34-48,共15页
关键词 专利技术 高压密封装置 鱼塘增氧泵 硅光探测器 保险柜 数控机床
原文传递
Double-peaked decay of transient photovoltage in nanoporous ZnO/n-Si photodetector 被引量:1
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作者 LIU Hao FU Cheng ZHAO Kun 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2014年第6期1206-1208,共3页
In the present work,a nanoporous ZnO/n-Si structure has been proposed as a new type infrared photodetector.Triggered by one laser pulse with wavelength of 1064 nm,this structure exhibits a double-peak decay of transie... In the present work,a nanoporous ZnO/n-Si structure has been proposed as a new type infrared photodetector.Triggered by one laser pulse with wavelength of 1064 nm,this structure exhibits a double-peak decay of transient photovoltage.Also,the time interval between these two peaks increases linearly with the increase of irradiated pulsed energy,indicating the promising application of this hetero-junction in photo-energy detection of infrared pulsed laser.A possible mechanism for this particular photoresponse has been discussed. 展开更多
关键词 ZNO SOL-GEL PHOTOVOLTAGE PHOTODETECTOR
原文传递
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