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达林顿硅光电晶体管的光放大特性
被引量:
1
1
作者
郑云光
张培宁
+2 位作者
郭维廉
李树荣
王海英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期9-11,29,共4页
通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度, 并用12V、025A 的小灯泡作为输出发光元件, 在265μW (即90lx) 的红光照射下, 器件可输出光电流100m A 以上, 输出光功率为2000μW 。
关键词
达林顿
硅光电晶体管
光功率增益
DSPT
下载PDF
职称材料
穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化
被引量:
2
2
作者
丁传鹏
周泉
+2 位作者
陆逢阳
王宝续
常玉春
《吉林大学学报(信息科学版)》
CAS
2013年第1期25-30,共6页
为克服各种常用光电探测器件的缺点,对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构,改进为窄基区穿通晶体管在中间,两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时...
为克服各种常用光电探测器件的缺点,对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构,改进为窄基区穿通晶体管在中间,两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时,对不同窄基区宽度下的暗电流、光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真,得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真,分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明,当窄基区宽度为0.6μm时,器件性能折中达到最优,在0.5 V偏压下,器件暗电流仅为1μA;入射光功率密度为10-7W/cm2时,器件响应率高达4×106A/W。
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关键词
穿通增强型
硅光电晶体管
窄基区宽度
暗电流
光生电流
光电
响应率
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职称材料
新结构多晶硅发射极光电晶体管
3
作者
王晓慧
李国辉
阎凤章
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期473-476,共4页
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益...
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度.已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下,对0.8μm,0.174μW的光增益达到了3083.
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关键词
多晶
硅
发射极
硅光电晶体管
隔离环
穿通型
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职称材料
题名
达林顿硅光电晶体管的光放大特性
被引量:
1
1
作者
郑云光
张培宁
郭维廉
李树荣
王海英
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期9-11,29,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度, 并用12V、025A 的小灯泡作为输出发光元件, 在265μW (即90lx) 的红光照射下, 器件可输出光电流100m A 以上, 输出光功率为2000μW 。
关键词
达林顿
硅光电晶体管
光功率增益
DSPT
Keywords
Darlington silicon photo transistor Light power gain
分类号
TN322.3 [电子电信—物理电子学]
TN364.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化
被引量:
2
2
作者
丁传鹏
周泉
陆逢阳
王宝续
常玉春
机构
吉林大学电子科学与工程学院
出处
《吉林大学学报(信息科学版)》
CAS
2013年第1期25-30,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61076046)
文摘
为克服各种常用光电探测器件的缺点,对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构,改进为窄基区穿通晶体管在中间,两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时,对不同窄基区宽度下的暗电流、光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真,得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真,分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明,当窄基区宽度为0.6μm时,器件性能折中达到最优,在0.5 V偏压下,器件暗电流仅为1μA;入射光功率密度为10-7W/cm2时,器件响应率高达4×106A/W。
关键词
穿通增强型
硅光电晶体管
窄基区宽度
暗电流
光生电流
光电
响应率
Keywords
punchthrough enhanced phototransistor
the width of the narrow base
dark current
photocurrent
optical sensitivity
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新结构多晶硅发射极光电晶体管
3
作者
王晓慧
李国辉
阎凤章
机构
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期473-476,共4页
基金
国家自然科学基金!69676030
北京市自然科学基金!4962004
文摘
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极,工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管.用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍;隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度;穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度.已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下,对0.8μm,0.174μW的光增益达到了3083.
关键词
多晶
硅
发射极
硅光电晶体管
隔离环
穿通型
Keywords
phototransistor
ploycrystalline silicon emitter
punchthrough
guard- ring
分类号
TN364.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
达林顿硅光电晶体管的光放大特性
郑云光
张培宁
郭维廉
李树荣
王海英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
下载PDF
职称材料
2
穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化
丁传鹏
周泉
陆逢阳
王宝续
常玉春
《吉林大学学报(信息科学版)》
CAS
2013
2
下载PDF
职称材料
3
新结构多晶硅发射极光电晶体管
王晓慧
李国辉
阎凤章
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997
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职称材料
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