达林顿硅光电晶体管的光放大特性

通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度， 并用１２Ｖ、０２５Ａ 的小灯泡作为输出发光元件， 在２６５μＷ （即９０ｌｘ） 的红光照射下， 器件可输出光电流１００ｍ Ａ 以上， 输出光功率为２０００μＷ 。

穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化

为克服各种常用光电探测器件的缺点,对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构,改进为窄基区穿通晶体管在中间,两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时,对不同窄基区宽度下的暗电流、光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真,得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真,分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明,当窄基区宽度为0.6μm时,器件性能折中达到最优,在0.5 V偏压下,器件暗电流仅为1μA;入射光功率密度为10-7W/cm2时,器件响应率高达4×106A/W。

新结构多晶硅发射极光电晶体管

报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度．已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下，对0．8μm，0．174μW的光增益达到了3083．