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硅化钽/硅化钼基热防护涂层短时高温结构演化 被引量:1
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作者 李俊峰 罗正平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期712-717,共6页
以硅化钽、硅化钼、硼硅玻璃粉为原料,1200℃短时烧结制备了耐高温热防护涂层。然后采用乙炔焰在1650℃烧蚀涂层2 min,自然冷却至室温。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线电子能谱研究了该耐高温热防护涂层在1650℃加热前后的涂层... 以硅化钽、硅化钼、硼硅玻璃粉为原料,1200℃短时烧结制备了耐高温热防护涂层。然后采用乙炔焰在1650℃烧蚀涂层2 min,自然冷却至室温。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线电子能谱研究了该耐高温热防护涂层在1650℃加热前后的涂层结构和组分变化。结果显示制备出的热防护涂层表面为Ta2O5和少量TaSi2。经过1650℃短时高温烧蚀后,涂层表面烧蚀中心区形成大量片状Ta2O5,该Ta2O5连成片。涂层截面形貌显示高温烧蚀后涂层接近表面部分发生致密化,厚度约23μm。涂层截面的元素面扫描分析显示截面上钽、钼元素分布均匀,即涂层具有良好的结构均匀性。 展开更多
关键词 硅化钽 硅化 热防护涂层 结构演化
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用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物
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作者 姚文卿 Heiner Rvssel 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第9期667-671,共5页
本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的... 本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量. 展开更多
关键词 硅化钽 离子束混合 热处理
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高压下六方TaSi2晶体基于结构稳定性的电学输运性质(英文)
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作者 李晓阳 陆阳 晏浩 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期26-32,共7页
作为一类稳定的低电阻及高温材料,二硅化钽(TaSi_2)被广泛应用于集成电路中。因此,其电学稳定性和结构稳定性同样重要。报导了高压下六方TaSi_2晶体基于结构稳定性的电学输运性质。通过同步辐射X射线衍射和拉曼光谱实验研究了TaSi_2晶... 作为一类稳定的低电阻及高温材料,二硅化钽(TaSi_2)被广泛应用于集成电路中。因此,其电学稳定性和结构稳定性同样重要。报导了高压下六方TaSi_2晶体基于结构稳定性的电学输运性质。通过同步辐射X射线衍射和拉曼光谱实验研究了TaSi_2晶体在压力高达20GPa时稳定的结晶学结构,并通过原位高压电阻测量发现,当压力增加到16.3GPa时,TaSi_2的电阻率趋于稳定在2μΩ·cm左右;进一步理论计算了压力下TaSi_2的电子结构,以进一步理解其金属性行为。 展开更多
关键词 硅化钽 高压 晶体结构 电学输运性质
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碳/碳复合材料SiC–HfSi_2–TaSi_2抗烧蚀复合涂层 被引量:4
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作者 李淑萍 李克智 郭领军 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期804-807,共4页
采用包埋技术在碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)复合材料表面制备了碳化硅-硅化铪-硅化钽(SiC-HfSi2-TaSi2)抗烧蚀复合涂层。采用氧乙炔火焰烧蚀试验评价了C/C复合材料样品的抗烧蚀性能。通过X射线衍射分析、扫描电... 采用包埋技术在碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)复合材料表面制备了碳化硅-硅化铪-硅化钽(SiC-HfSi2-TaSi2)抗烧蚀复合涂层。采用氧乙炔火焰烧蚀试验评价了C/C复合材料样品的抗烧蚀性能。通过X射线衍射分析、扫描电镜观察及能谱分析研究了SiC-HfSi2-TaSi2作为C/C复合材料抗烧蚀涂层的表面和断面相组成、元素分布及形貌。结果表明:由于烧蚀过程中生成的HfO2,Ta2O5具有高温稳定性,使得该涂层表现出良好的抗烧蚀性能,在3000℃下烧蚀20s后,线烧蚀率为0.009mm/s,质量烧蚀率为0.00385g/s。 展开更多
关键词 碳纤维增强碳复合材料 抗烧蚀 涂层 碳化硅-硅化铪-硅化钽
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Microstructure and properties of Si-TaSi_2 eutectic in situ composite for field emission 被引量:1
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作者 CUI ChunJuan ZHANG Jun +4 位作者 HAN Min CHEN Jun XU NingSheng LIU Lin FU HengZhi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2007年第7期984-989,共6页
The Si-TaSi2 eutectic in situ composite for field emission is prepared by electron beam floating zone melting (EBFZM) technique on the basis of Czochralski (CZ) crystal growth technique. The directional solidification... The Si-TaSi2 eutectic in situ composite for field emission is prepared by electron beam floating zone melting (EBFZM) technique on the basis of Czochralski (CZ) crystal growth technique. The directional solidification microstructure and the field emission properties of the Si-TaSi2 eutectic in situ composite prepared by two kinds of crystal growth techniques have been systematically tested and compared. Researches demonstrated that the solidification microstructure of EBFZM can be fined obviously be-cause of the relatively high solidification rate and very high temperature gradient, i.e. both the diameter and inter-rod spacing of the TaSi2 fibers prepared by EBFZM technique were decreased, and the density and the volume fraction of the TaSi2 fibers prepared by EBFZM technique were increased in comparison with that of the TaSi2 fibers prepared by CZ method. Therefore the field emission property of the Si-TaSi2 eutectic in situ composite prepared by EBFZM can be improved greatly, which exhibits better field emission uniformity and straighter F-N curve. 展开更多
关键词 硅化钽 Si-TaSi2共晶 原位复合材料 场发射显示屏 显微结构 性质
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