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GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制
被引量:
1
1
作者
李宝军
万建军
+6 位作者
李国正
刘恩科
胡冬枝
裴成文
秦捷
蒋最敏
王迅
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
2000年第1期14-16,共3页
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的...
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。
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关键词
调制器
光波导
硅化锗合金
干涉型
原文传递
题名
GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制
被引量:
1
1
作者
李宝军
万建军
李国正
刘恩科
胡冬枝
裴成文
秦捷
蒋最敏
王迅
机构
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
西安交通大学微电子工程系
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
2000年第1期14-16,共3页
基金
国家"八六三"计划资助项目
国家自然科学重点基金资助项目!( 696360 1 0 )
中国博士后基金
文摘
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为 40 m A和 0 .97k A/ cm2 。
关键词
调制器
光波导
硅化锗合金
干涉型
Keywords
modulator
optical waveguide
Ge Si
分类号
TN761 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制
李宝军
万建军
李国正
刘恩科
胡冬枝
裴成文
秦捷
蒋最敏
王迅
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
2000
1
原文传递
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