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Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
1
作者
李代宗
于卓
+3 位作者
雷震霖
成步文
余金中
王启明
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期215-217,共3页
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在 650℃生长出表面光亮的 GeSi单晶 在1200L/min分子泵与前级机械系间串接 450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的X射线双晶衍射分析表...
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在 650℃生长出表面光亮的 GeSi单晶 在1200L/min分子泵与前级机械系间串接 450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为 198arcsec, 且出现了 Pendellosung干涉条 纹,说明外延层结晶质量很好。
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关键词
超高真空化学气相淀积
硅化锗材料
晶体生长
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职称材料
题名
Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
1
作者
李代宗
于卓
雷震霖
成步文
余金中
王启明
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期215-217,共3页
基金
国家自然科学基金! 69896260-06
69746001
69787004.
文摘
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在 650℃生长出表面光亮的 GeSi单晶 在1200L/min分子泵与前级机械系间串接 450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的 样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为 198arcsec, 且出现了 Pendellosung干涉条 纹,说明外延层结晶质量很好。
关键词
超高真空化学气相淀积
硅化锗材料
晶体生长
Keywords
UHV/CVD, GeSi, DCXRD
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
O471 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
李代宗
于卓
雷震霖
成步文
余金中
王启明
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
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