硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究

介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下。研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的加工工艺。