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硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型 被引量：3
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作者 关小军 关宇昕 王善文 《徐州工程学院学报（自然科学版）》 CAS 2019年第3期1-6,共6页
为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡... 为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡态;这两个演变规律符合实际且产生机理清晰,证实了该模型的合理性及其使用价值. 展开更多
关键词 仿真 硅单晶圆片 V-O2对 建模 相场理论
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