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硅单晶材料发展动态
被引量:
4
1
作者
邓志杰
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期369-372,共4页
概述了现代特大规模集成电路对硅单晶片的质量要求、直拉硅单晶生长工艺及晶片加工技术研究进展和硅单晶材料市场现状及发展趋势。
关键词
直拉
单晶
集成电路
ULSI
硅单晶材料
发展动态
下载PDF
职称材料
题名
硅单晶材料发展动态
被引量:
4
1
作者
邓志杰
机构
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期369-372,共4页
文摘
概述了现代特大规模集成电路对硅单晶片的质量要求、直拉硅单晶生长工艺及晶片加工技术研究进展和硅单晶材料市场现状及发展趋势。
关键词
直拉
单晶
集成电路
ULSI
硅单晶材料
发展动态
Keywords
CZ technology, Perfect Si,Fast pulled,Defect,Wafer processing
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
硅单晶材料发展动态
邓志杰
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
4
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职称材料
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