国外硅双极分频器发展概况

本文综述了国外近十年来超高速分频器集成电路的发展概况。着重介绍了反馈分频方式的原理。并叙述了采用几种先进硅双极工艺(如SST、SICOS、BSA等)制作的反馈分频方式的分频器和主从D触发器方式的分频器。最后简单介绍了超高速分频器的应用情况。

一种1．3GHz硅双模预置分频器

本文介绍了一种硅双模预置分频器（÷４０／４２）的电路原理、电路设计、版图设计、工艺技术及研制结果。采用３μｍ设计规则的硅双极型ｐｎ结对通隔离工艺、薄层外延和泡发射极等ＥＣＬ高速电路制作技术，双模预置分频器最高工作频率在－５５℃～＋１２５℃环境温度范围内达１３００ＭＨｚ以上，并且具有输入动态范围大、电源电压宽等特点。

一种超高速八位移位寄存器

介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃～85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。

半导体与微电子技术

Y99-61795 00002441998年 IEEE 双极/Bi CMOS 电路和技术会议录=1998 IEEE bipolar/Bi CMOS circuits and technologymeeting[会,英]/IEEE.—IEEE,1998.—216P.(UC)本会议录共收录论文44篇。其内容涉及:静电放电和辐照影响,逻辑设计,功率器件,各种模拟技术,SiGe 加工技术,射频电路与技术,射频用的加工工艺,通信电路,先进的硅双极工艺,双极晶体管的失真、噪声和瞬时效应,模拟和参数的提取等。Y99-61827 00002451998年 IEEE 电子器件协会会议录=1998 IEEE elec-tron devices society meeting[会,英]/IEEE.—IEEE,