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超薄硅双面抛光片抛光工艺技术
被引量:
4
1
作者
赵权
杨洪星
+3 位作者
刘春香
吕菲
王云彪
武永超
《电子工业专用设备》
2011年第3期21-23,42,共4页
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式...
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
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关键词
超薄
硅双面抛光片
抛光
工艺
下载PDF
职称材料
题名
超薄硅双面抛光片抛光工艺技术
被引量:
4
1
作者
赵权
杨洪星
刘春香
吕菲
王云彪
武永超
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《电子工业专用设备》
2011年第3期21-23,42,共4页
文摘
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
关键词
超薄
硅双面抛光片
抛光
工艺
Keywords
Ultra-thin
Silicon Double Sides Polished Wafer
Polishing Process
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超薄硅双面抛光片抛光工艺技术
赵权
杨洪星
刘春香
吕菲
王云彪
武永超
《电子工业专用设备》
2011
4
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职称材料
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