硅场发射器中电子发射特性退化的机理

研究了硅场发射器中电子发射特性的退化和它的机理。利用化学—机械—磨光工序，制造出三级型硅场发射器。存在一个临界偏置时间ｔｃ，在此时刻，阴级电流开始显著地降低。随着阳极电流增大，临界时间ｔｃ将缩短。在ｔｃ时间内反复测量发射电流，每一次测量后都完全弛豫（ｒｅｌｅｘａｔｉｏｎ），即使总偏置时间超过临界时间，也不出现退化。