-
题名二氧化钒材料相变的太赫兹光谱与阵列成像
- 1
-
-
作者
谭智勇
万文坚
曹俊诚
-
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室
中国科学院大学材料与光电研究中心
-
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022年第12期1225-1230,共6页
-
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFA0701005)
国家自然科学基金资助项目(61927813,U2241227,62035014)
上海市自然科学基金资助项目(17ZR1448300)。
-
文摘
二氧化钒是一种具有绝缘态到金属态可逆相变特性的材料,在光器件及信息技术中有非常广泛的应用。分别采用太赫兹频段的光谱测量技术和阵列成像技术研究分析了硅基二氧化钒材料的相变过程。采用傅里叶变换光谱测量系统,获得了整个样品在2.5~20.0 THz频段透射谱和反射谱随温度的变化,分析得到了硅基二氧化钒材料相变的温度范围为334~341 K,对应温差为7 K;得到了相变前后样品对4.3 THz辐射的透过率变化达40%以上,反射率变化接近30%。随后采用一套4.3 THz的阵列成像系统,测量了整个样品在相变前后的太赫兹图像,获得了该材料由金属态转变为绝缘态时,其对4.3 THz激光信号的透过率由6.7%升至50.7%,透过率变化达44%,与傅里叶变换光谱在4.3 THz处的测量结果相当。上述研究结果为硅基二氧化钒材料用于2.5 THz以上电磁辐射的透射调制和反射调制提供了很好的实验数据支撑。
-
关键词
太赫兹
硅基二氧化钒
相变材料
傅里叶变换光谱
阵列成像技术
-
Keywords
terahertz
silicon-based vanadium dioxide
phase transition materials
Fourier transform spectroscopy
array imaging technique
-
分类号
TN219
[电子电信—物理电子学]
-