硅基异质结太阳能电池TCO层的研究进展

硅基异质结太阳能电池的TCO层位于掺杂的非晶硅层或微晶硅和金属电极之间,TCO层的形成方法、TCO层与掺杂的非晶硅层或微晶硅的界面以及TCO层外表面特性都对硅基异质结太阳能电池的性能产生较大的影响,优化TCO层的沉积工艺、在TCO层与掺杂的非晶硅层或微晶硅的界面形成缓冲层、调整TCO层的功函数以及在TCO层的外表面形成功能层,这是近年来对TCO层的主要改进方式。

硅基异质结太阳电池的研究现状与前景

简要介绍了当前低成本太阳电池的现状,对硅基异质结太阳电池的构成进行简要分析,简述了如HIT、a-C/c-Si、a-C/C60/c-Si以及nc-Si/mc-Si等几种高效硅基异质结太阳电池的研究,并介绍了太阳模拟软件对硅基异质结电池工艺参数的模拟结果。最后介绍了Si/Ge/Si双异质结太阳电池的制备技术,并对基于硅基异质结高效低成本太阳电池的发展进行展望。

硅基异质结n-SiOxNy/n-Si二极管的I-V特性分析

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.

铜铟镓硒及硅基异质结光伏系统设计分析与讨论

本文基于北京某项目光伏建筑一体化(BIPV)及附加式光伏发电系统(BAPV)相结合的光伏系统设计,对比了CIGS薄膜电池与SHJ电池在系统设计上的区别:CIGS薄膜电池在并网处需要负极接地并增加隔离变压器,而SHJ电池不需要。同时也对该项目设置的光伏系统发电量进行预估。

化学抛光对硅基异质结太阳电池性能的影响

针对非晶硅薄膜沉积时金字塔沟壑处容易出现外延生长的问题,采用化学抛光液CP133对硅片表面进行了抛光处理。研究结果表明,抛光使得金字塔底部区域形貌由"V"型变成了"U"型,明显改善了非晶硅/晶体硅界面的钝化效果。抛光溶液温度低于30℃时难以发挥腐蚀作用,但当溶液的起始温度升高至35℃时,获得了较好的抛光效果。采用质量分数为1%的NaOH溶液制绒且抛光时间为30s时,太阳电池性能较佳。

硅基低维发光材料的研究进展

20世纪90年代,作为硅基光电子学的一个主导发展方向,硅基低维发光材料的研究取得了一系列重要进展。一方面,硅基超晶格、量子阱以及多孔硅的研究不断深化,具有潜在的发展优势。另一方面,由各种成膜技术形成的各种纳米晶硅薄膜、硅基纳米微粒以及由自组织生长方法制备的硅基量子点的研究崭露头角,亦呈现出良好的发展势头。本文综合评述了各类硅基低维材料在发光特性方面的研究进展。

25.82%,隆基再次打破HJT电池效率世界纪录

近日,隆基的商业尺寸HJT(M6硅基异质结)太阳能电池经德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)测试,转换效率达25.82%,再次打破世界纪录。今年6月,隆基曾以25.26%的转换效率创造了该电池技术的新世界纪录。短短四个月后,这一数据被隆基再次刷新。