硅基支撑系统的光刻工艺

为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度,用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响,得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合。在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络,对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选,并用实验加以验证。最终得到在胶厚约1.55μm时,前烘温度100℃,时间90s;曝光时间5s;显影温度15℃,时间90s时,光刻后图形的线宽偏差最小,达到了0.3μm以下。