掺杂硅基氧化薄膜光致发光特性研究

测量了用离子注入方法Ｓｉ＋ →ＳｉＯ２ ，Ｃ＋ →ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ２ ：Ｌａ 和ＳｉＯ２ ：Ｅｒ 样品室温下的光致发光（ＰＬ） 谱和相应的光致发光激发（ＰＬＥ） 谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大。对样品的发光机理作了初步探讨。

硅基多孔氧化铝膜的整体发光及其化学修饰

利用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积了 5 0 0nm厚的铝膜 ,分别在硫酸、磷酸和草酸中通过阳极氧化技术制备了硅基多孔氧化铝模板 .通过透射电镜 (TEM)观测了形貌 ,并测定了它们的光致发光光谱 (PL) .结果表明利用不同的酸性电解质得到的多孔氧化铝模板的发光现象是不完全相同的 .基于这种思路 ,采用了其它的酸性电解质磺基水杨酸或在酸性电解质中预先加入有机荧光物质罗丹明 6G ,得到了不同发光特性的硅基多孔氧化铝膜 .结合过去的理论 ,对上述荧光光谱的来源以及变化进行了讨论 .多孔氧化铝的发光一般都来自于与氧空位有关的缺陷态F+,但它的复合过程会受到体系中的杂质能级或其它发光物质的影响 .来自电解质中的物质在阳极氧化的过程中会参与氧化铝膜的形成 ,进而改变氧化铝膜的成分 。