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题名逆向设计的硅基片上功率分束器
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作者
马汉斯
杜特
姜鑫鹏
杨俊波
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机构
国防科技大学物质与材料科学实验中心
国防科技大学计算机学院量子信息研究所和高性能计算国家重点实验室
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出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第7期1-18,共18页
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基金
国家自然科学基金项目(60907003,61805278,12272407,62275269,62275271)
国家重点研发计划项目(2022YFF0706005)
+3 种基金
中国博士后科学基金(2018M633704)
国防科技大学基金(JC13-02-13,ZK17-03-01)
湖南省自然科学基金项目(13JJ3001)
新世纪高校优秀人才计划(NCET-12-0142)。
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文摘
硅基片上功率分束器是光子集成电路的重要组成,具有广泛的应用,比如反馈电路、抽头功率监测和光学量化等。纳米光子器件的设计方法大致可以分为正向设计方法和逆向设计方法。本文概述了正向设计方法和逆向设计方法的区别与联系,并且对逆向设计算法进行了归纳分类,此外,总结了近年来具有代表性的逆向设计的硅基片上功率分束器,包括多通道功率分束器、任意分束比功率分束器、多模式功率分束器、宽带功率分束器和多功能功率分束器,最后对逆向设计算法以及逆向设计的功率分束器的发展趋势进行了总结与展望。
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关键词
硅基片上功率分束器
逆向设计方法
多通道功率分束器
任意分束比功率分束器
多模式功率分束器
宽带功率分束器
多功能功率分束器
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Keywords
silicon-based on-chip power splitter
inverse design
multichannel power splitters
arbitrary-split-ratio power splitters
multimode power splitters
broadband power splitters
multifunction power splitters
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分类号
TN491
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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