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硅基量子点器件
1
作者
王亚东
叶志镇
黄靖云
《半导体杂志》
2000年第3期50-55,共6页
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能 ,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应...
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能 ,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应用 ,包括单电子晶体管、红外探测器、发光二极管。
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关键词
硅基量子点器件
光电子
器件
硅
集成电路
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职称材料
晶体管、MOS器件
2
《电子科技文摘》
2001年第1期22-23,共2页
Y2000-62028-1047 0100246新的双 P 阱横向发射极开关晶闸管=A novel doubleP-well lateral emitter wwitched thyristor[会,英]/Qin,Z.X.& Sankara.E.M.//1999 IEEE 49th ElectronicComponents and Technology Conference.—1047~...
Y2000-62028-1047 0100246新的双 P 阱横向发射极开关晶闸管=A novel doubleP-well lateral emitter wwitched thyristor[会,英]/Qin,Z.X.& Sankara.E.M.//1999 IEEE 49th ElectronicComponents and Technology Conference.—1047~1050(PC)Y2000-62185-32 0100247退化 P-MOSFET 热载流子电荷抽运电流模拟=Simu-lation of charge pumping current in hot-carrier
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关键词
发射极开关晶闸管
多晶
硅
薄膜晶体管
热载流子
电流模
硅基量子点器件
氧化物
电荷
抽运
夹断电压
退化
原文传递
题名
硅基量子点器件
1
作者
王亚东
叶志镇
黄靖云
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《半导体杂志》
2000年第3期50-55,共6页
文摘
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能 ,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应用 ,包括单电子晶体管、红外探测器、发光二极管。
关键词
硅基量子点器件
光电子
器件
硅
集成电路
Keywords
Si-based quantum dot devices
confinement effects
opto electronics
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
晶体管、MOS器件
2
出处
《电子科技文摘》
2001年第1期22-23,共2页
文摘
Y2000-62028-1047 0100246新的双 P 阱横向发射极开关晶闸管=A novel doubleP-well lateral emitter wwitched thyristor[会,英]/Qin,Z.X.& Sankara.E.M.//1999 IEEE 49th ElectronicComponents and Technology Conference.—1047~1050(PC)Y2000-62185-32 0100247退化 P-MOSFET 热载流子电荷抽运电流模拟=Simu-lation of charge pumping current in hot-carrier
关键词
发射极开关晶闸管
多晶
硅
薄膜晶体管
热载流子
电流模
硅基量子点器件
氧化物
电荷
抽运
夹断电压
退化
分类号
TN [电子电信]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅基量子点器件
王亚东
叶志镇
黄靖云
《半导体杂志》
2000
0
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职称材料
2
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》
2001
0
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