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硅基量子点器件
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作者 王亚东 叶志镇 黄靖云 《半导体杂志》 2000年第3期50-55,共6页
硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能 ,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应... 硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能 ,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应用 ,包括单电子晶体管、红外探测器、发光二极管。 展开更多
关键词 硅基量子点器件 光电子器件 集成电路
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晶体管、MOS器件
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《电子科技文摘》 2001年第1期22-23,共2页
Y2000-62028-1047 0100246新的双 P 阱横向发射极开关晶闸管=A novel doubleP-well lateral emitter wwitched thyristor[会,英]/Qin,Z.X.& Sankara.E.M.//1999 IEEE 49th ElectronicComponents and Technology Conference.—1047~... Y2000-62028-1047 0100246新的双 P 阱横向发射极开关晶闸管=A novel doubleP-well lateral emitter wwitched thyristor[会,英]/Qin,Z.X.& Sankara.E.M.//1999 IEEE 49th ElectronicComponents and Technology Conference.—1047~1050(PC)Y2000-62185-32 0100247退化 P-MOSFET 热载流子电荷抽运电流模拟=Simu-lation of charge pumping current in hot-carrier 展开更多
关键词 发射极开关晶闸管 多晶薄膜晶体管 热载流子 电流模 硅基量子点器件 氧化物 电荷 抽运 夹断电压 退化
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