MBE生长应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

根据MBE实际生长条件，采用在应变Si1-xGex／SiMQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si1-xGex／SiMQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW的畸变．

Si激光器的研究现状

概述了Si激光器的研究现状。介绍了Si激光器可能的激射机构,它们是多孔硅发光、Si中杂质发光、Si-Ge量子阱发光等。介绍了Si激光器近期的研究情况以及实用化所面临的技术问题。