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硅基铁电薄膜的电性能研究 被引量：2
1
作者 任天令 张林涛 +1 位作者 刘理天 李志坚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期472-476,共5页
以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 。
关键词 硅基铁电薄膜 钛锆酸铅 钛酸铅 溶胶-凝胶法
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Sol-Gel法硅基铁电薄膜研究 被引量：1
2
作者 张林涛 任天令 +2 位作者 张武全 刘理天 李志坚 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第6期394-396,共3页
介绍了用溶胶 凝胶方法制备Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料 ,在 90 0℃ ,30min退火条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示 ,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄... 介绍了用溶胶 凝胶方法制备Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料 ,在 90 0℃ ,30min退火条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示 ,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 锆钛酸铅 硅基铁电薄膜 制备工艺
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