硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状

随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求 ,硅基集成电路的集成度越来越高 ,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的 .当栅极SiO2 介电层的厚度减小到原子尺度大小时 ,由于量子效应的影响 ,SiO2 将失去介电特性 ,因此必须寻找一种新的高介电常数 (high -K)的氧化物材料来代替它 .如今世界上许多国家都开展了替代SiO2 的介电氧化物材料的研究工作 .文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响 ,栅极SiO2 介电层的高K氧化物材料的要求和粗选 ,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述 .

Si基微波单片集成电路的发展

随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。

基于微缩雷达应用的硅基毫米波片上天线（英文）

为研究小型化、微型化天线在现代无线应用中的集成趋势,对当前工艺水平下的毫米波段片上天线(AoC)设计进行了总结。从集成角度,对单片集成和混合集成的概念分别进行了优劣比较和讨论。作为一个单片集成技术方案的可靠候选,对硅基单片毫米波集成电路(SIMMWIC)技术进行了介绍,并给出了利用该技术实现的整流天线例子。通过单片集成的雪崩二极管发射机展示了如何利用三维电磁仿真工具设计及证明片上天线的性能,利用仿真和实际验证探讨了硅基毫米波片上天线的挑战和方法,为小型化雷达系统方案提供了一个稳固的基础。

Si基长波长GeSiHPT探测器的研制

随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。

X射线光刻技术应用现状与前景

鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50nm及50nm以下规则等诸多优点,它非常适合应用于100nm及100nm以下集成电路的生产。本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术(PXL)现状,再分别介绍X射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波集成电路(MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景,并对国内的X射线光刻技术的近期研究进展进行了简要介绍。