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一种基于硅基双层SIW滤波器的Ka频段接收变频模块设计
1
作者
赵玛利
赵宇
+3 位作者
赵永志
李光福
李美苓
陈妍
《通讯世界》
2021年第10期125-127,共3页
本文采用硅基三维集成工艺,完成了一种应用于雷达的接收变频器件的设计,可实现Ka频段下变频接收功能。该器件通过将硅基干法刻蚀工艺及晶圆级键合工艺相结合,制备芯片埋置腔体,内部集成了限幅器、低噪声放大器、衰减器、驱动器、混频器...
本文采用硅基三维集成工艺,完成了一种应用于雷达的接收变频器件的设计,可实现Ka频段下变频接收功能。该器件通过将硅基干法刻蚀工艺及晶圆级键合工艺相结合,制备芯片埋置腔体,内部集成了限幅器、低噪声放大器、衰减器、驱动器、混频器等多个有源芯片,并通过IPD工艺在硅基三维封装结构中直接制备硅基双层SIW滤波器,最终实现有源芯片与硅基无源元件的一体化集成。器件外形尺寸为18 mm×12 mm×1 mm,经测试,在31 GHz~32 GHz频段内,变频增益≥42 dB,输出1 dB压缩功率≥13 dBm,噪声系数<7 dB,可实现5位衰减功能。
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关键词
接收变频器件
硅基siw滤波器
MEMS三维集成
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职称材料
题名
一种基于硅基双层SIW滤波器的Ka频段接收变频模块设计
1
作者
赵玛利
赵宇
赵永志
李光福
李美苓
陈妍
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电科
出处
《通讯世界》
2021年第10期125-127,共3页
文摘
本文采用硅基三维集成工艺,完成了一种应用于雷达的接收变频器件的设计,可实现Ka频段下变频接收功能。该器件通过将硅基干法刻蚀工艺及晶圆级键合工艺相结合,制备芯片埋置腔体,内部集成了限幅器、低噪声放大器、衰减器、驱动器、混频器等多个有源芯片,并通过IPD工艺在硅基三维封装结构中直接制备硅基双层SIW滤波器,最终实现有源芯片与硅基无源元件的一体化集成。器件外形尺寸为18 mm×12 mm×1 mm,经测试,在31 GHz~32 GHz频段内,变频增益≥42 dB,输出1 dB压缩功率≥13 dBm,噪声系数<7 dB,可实现5位衰减功能。
关键词
接收变频器件
硅基siw滤波器
MEMS三维集成
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于硅基双层SIW滤波器的Ka频段接收变频模块设计
赵玛利
赵宇
赵永志
李光福
李美苓
陈妍
《通讯世界》
2021
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