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激光晶化制备硅量子点/碳化硅多层膜p-i-n结构的光伏特性探索
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作者 曹蕴清 曾祥华 +2 位作者 季阳 翟颖颖 李伟 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期399-406,共8页
对不同能量密度激光晶化的硅量子点/碳化硅周期性多层膜的结构与光学性质进行了研究.结果表明,激光晶化技术可以获得晶化的硅量子点并且保持良好的周期性层状结构;随着激光能量密度的增大,多层膜中的硅量子点的晶化率和晶粒尺寸都随之增... 对不同能量密度激光晶化的硅量子点/碳化硅周期性多层膜的结构与光学性质进行了研究.结果表明,激光晶化技术可以获得晶化的硅量子点并且保持良好的周期性层状结构;随着激光能量密度的增大,多层膜中的硅量子点的晶化率和晶粒尺寸都随之增大,光吸收系数增强,吸收边红移,光学带隙减小.进而初步尝试了对在镀有氧化铟锡(ITO)透明导电电极的玻璃衬底上制备的基于硅量子点/碳化硅周期性多层膜的全硅量子点太阳能电池光伏性能的探索,提出利用KrF准分子脉冲激光晶化技术代替传统的高温退火技术来获得全硅量子点电池的方法,以避免长时间的高温过程对玻璃衬底和ITO膜的破坏,获得了有效面积为0.8cm2的电池.研究发现激光晶化技术制备的全硅量子点电池具有良好的整流特性,并且随着激光能量密度的增大,电池的外量子效率先增大后减小,170mJ·cm^(-2)是最佳的激光晶化能量密度,基于此条件制备的全硅量子点电池初步获得了0.16mA·cm-2的短路电流密度. 展开更多
关键词 量子点/碳化硅多层膜 激光晶化技术 量子点太阳能电池 激光能量密度 光伏特性
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多层纳米硅复合膜的共振光学非线性
2
作者 郭震宁 郭亨群 +2 位作者 王加贤 张文珍 李世忱 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1340-1343,共4页
本文采用简并四波混频技术在室温下研究晶化a Si:H/a SiNx:H多层纳米硅复合膜三阶非线性光学性质 ,首次观察到这种多层膜的相位共轭信号 ,在共振光波波长λ =5 89nm处实验所用样品的三阶非线性极化率为 χ(3) =1 .4× 1 0 - 6esu 。
关键词 多层纳米复合 简并四波混频 共振光学非线性 非线性光学性质 半导体 多层 量子点 强量子限域效应
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Ge/Si多层膜热稳定性的Raman光谱研究 被引量:3
3
作者 周湘萍 毛旭 +1 位作者 张树波 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期429-430,433,共3页
用Raman光散射的方法 ,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的各Raman峰的变化 ,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析。实验结果显示 :Ge/Si多层膜经 70 0℃热处理 10min后 ,能改善各层的晶体质量 ,得到较完整的多... 用Raman光散射的方法 ,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的各Raman峰的变化 ,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析。实验结果显示 :Ge/Si多层膜经 70 0℃热处理 10min后 ,能改善各层的晶体质量 ,得到较完整的多层膜的结构。 展开更多
关键词 RAMAN光谱 退火 热稳定性 硅多层膜
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等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射 被引量:1
4
作者 马忠元 王立 +7 位作者 陈坤基 李伟 张林 鲍云 王晓伟 徐俊 黄信凡 冯端 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期454-457,共4页
报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出... 报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 。 展开更多
关键词 等离子体氧化 纳米 光致发光 /二氧化硅多层膜
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Mo/Si多层膜的制备及X射线衍射表征
5
作者 李文明 王煜明 吕俊霞 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1998年第4期54-56,共3页
采用磁控溅射方法制备Mo/Si多层膜.通过小角X射线散射图证明该多层膜是原子水平的,界面清晰,与设计周期基本相同.通过X射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构,同时对Mo/Si多层膜的位错密度等参数进行定量研究.结果... 采用磁控溅射方法制备Mo/Si多层膜.通过小角X射线散射图证明该多层膜是原子水平的,界面清晰,与设计周期基本相同.通过X射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构,同时对Mo/Si多层膜的位错密度等参数进行定量研究.结果表明,该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大。 展开更多
关键词 多层 X射线衍射 晶粒尺寸 钼/硅多层膜 制备
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氢离子束对Mo-Si多层膜界面改性的研究
6
作者 薛钰芝 A.Keppel +2 位作者 R.Schatmann H.Zeijlemaker J.Verhoeven 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第1期31-35,共5页
为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况,采用氢离子束(能量150eV)轰击Si表面,即Si与Mo之界面。再用Kr离子束溅射刻蚀,并用俄歇电子能谱(AES)分析。实验结果说明氢离子束对Si表面轰击能有效防止界面混杂效应(intermixingeff... 为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况,采用氢离子束(能量150eV)轰击Si表面,即Si与Mo之界面。再用Kr离子束溅射刻蚀,并用俄歇电子能谱(AES)分析。实验结果说明氢离子束对Si表面轰击能有效防止界面混杂效应(intermixingeffect)。进而说明这是制备软X射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。 展开更多
关键词 钼-硅多层膜 氢离子束 混杂
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30.4nmSi/C多层膜反射镜的制备与测量
7
作者 刘毅楠 马月英 +3 位作者 斐舒 尼启良 胡卫兵 曹健林 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第6期423-424,共2页
采用离子束溅射镀膜装置制备了一种新的材料组合Si/C多层膜 ,用于 30 4nm波段的正入射多层膜反射镜。并用软X射线反射率计测得其反射比最大值为 0 14。有效地抑制了 15 0nm处的二级衍射峰。
关键词 软X射线多层 离子束溅射 反射镜 /碳多层
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磁控溅射Si/Co多层膜的小角X射线衍射测试研究
8
作者 钱天才 饶之帆 杨喜昆 《云南民族学院学报(自然科学版)》 2001年第2期326-328,共3页
用小角X射线衍射方法对Si/Co多层膜进行了测试研究 ,应用衍射理论对测试中出现的周期数不多的强峰和其间的一系列次强峰进行了分析 ,在计算多层和单层膜厚度时 ,提出利用相邻两个衍射峰的角度之差来消除系统误差和定位误差的简便方法 ,... 用小角X射线衍射方法对Si/Co多层膜进行了测试研究 ,应用衍射理论对测试中出现的周期数不多的强峰和其间的一系列次强峰进行了分析 ,在计算多层和单层膜厚度时 ,提出利用相邻两个衍射峰的角度之差来消除系统误差和定位误差的简便方法 ,使数据处理得到简化 .最后 ,通过XPS分析指出 ,在膜层界面具有硅的化合物存在 . 展开更多
关键词 小角X射线衍射 磁控溅射 /钴多层 测试 界面 氧化状态 结构
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软X射线Mo/Si多层膜反射率拟合分析 被引量:14
9
作者 王洪昌 王占山 +4 位作者 秦树基 李佛生 陈玲燕 朱杰 崔明启 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1362-1365,共4页
由于多层膜的表界面粗糙度和材料之间的相互扩散等因素 ,导致多层膜的实际反射率小于理论计算的反射率 ,因此 ,多层膜结构参量的确定对镀膜工艺参量的标定具有重要意义。由于描述单个非理想粗糙界面散射的Stearns法适用于软X射线短波段... 由于多层膜的表界面粗糙度和材料之间的相互扩散等因素 ,导致多层膜的实际反射率小于理论计算的反射率 ,因此 ,多层膜结构参量的确定对镀膜工艺参量的标定具有重要意义。由于描述单个非理想粗糙界面散射的Stearns法适用于软X射线短波段区域 ,采用它的数学模型来描述软X射线多层膜的粗糙度 ,利用最小二乘法曲线拟合法对同步辐射测得的Mo/Si多层膜的反射率曲线进行拟合 ,得到了非常好的拟合结果 ,从而确定了多层膜结构参量 ,同时分析了多层膜周期厚度 ,厚度比率 ,界面宽度以及仪器光谱分辨率对多层膜反射特性的影响 ,这些工作都为镀膜工艺改进提供了一定的理论依据。 展开更多
关键词 光学 软X射线 界面缺陷 参量估算 反射率拟合 钼/硅多层膜 标量散射理论 界面散射 光谱分辨率
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nc-Si/SiO_2多层膜的制备及蓝光发射 被引量:5
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作者 隋妍萍 马忠元 +3 位作者 陈坤基 李伟 徐骏 黄信凡 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期989-992,共4页
在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO2 多层膜 (ML) ;利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc Si SiO2 ML ,并... 在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO2 多层膜 (ML) ;利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc Si SiO2 ML ,并观察到室温下的蓝光发射 ;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc Si SiO2 ML的结构特性 ;通过对晶化样品光致发光谱和紫外 可见光吸收谱的研究 。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相淀积 PECVD nc-Si/Si02多层 制备 蓝光发射 纳米硅多层膜 热退火
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射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响 被引量:7
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作者 毛旭 李宏宁 +2 位作者 杨明光 周祯来 杨宇 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1999年第1期23-26,共4页
用射频磁控溅射制备了一系列Ge/Si多层膜,采用X射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,计算出了多层膜的周期.通过计算机模拟实验曲线确定出了Ge和Si的分层厚度,计算出了不同压强下的溅射速率.实验和计算机模拟都... 用射频磁控溅射制备了一系列Ge/Si多层膜,采用X射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,计算出了多层膜的周期.通过计算机模拟实验曲线确定出了Ge和Si的分层厚度,计算出了不同压强下的溅射速率.实验和计算机模拟都表明了在衬底温度为590℃、溅射功率为150W的溅射条件下1.5~2.5Pa氩气压强时制备出的样品周期性、均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好. 展开更多
关键词 多层 射频溅射 氩气 压强 锗/硅多层膜
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Ag/Si纳米颗粒多层膜的合成
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作者 赵建华 张明 +6 位作者 曹立民 张湘义 刘日平 戴道阳 陈红 许应凡 王文魁 《中国科学(A辑)》 CSCD 1998年第5期438-442,共5页
使用多靶离子束溅射沉积方法制备出Ag/Si多层膜 .利用原位低角X射线衍射技术和截面高分辨透射电子显微镜观察 5 0~ 30 0℃退火过程中Ag/Si多层膜各亚层间发生的扩散现象 ,并由此分析研究Ag/Si多层膜微观结构变化 ,即Ag/Si纳米颗粒多层... 使用多靶离子束溅射沉积方法制备出Ag/Si多层膜 .利用原位低角X射线衍射技术和截面高分辨透射电子显微镜观察 5 0~ 30 0℃退火过程中Ag/Si多层膜各亚层间发生的扩散现象 ,并由此分析研究Ag/Si多层膜微观结构变化 ,即Ag/Si纳米颗粒多层膜的形成过程 .计算出Si在Ag亚层中的扩散激活能和频率因子分别为 0 .2 4eV和 2 .0 2× 1 0 -2 0 m2 /s,纳米Ag颗粒的尺寸约为 5nm . 展开更多
关键词 纳米薄 扩散 XRD 银/硅多层膜
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Co/Si多层膜的模型结构研究
13
作者 马忠元 杨宇 吴兴惠 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1999年第1期35-37,共3页
对小角X射线衍射法测出的Co/Si多层膜的平均折射率修正值为负的原因作了进一步的分析,提出了修正的具有化合物层的多层膜结构模型,运用光学多层膜理论计算小角衍射强度时代入了负的折射率修正值δ,得到的理论计算曲线与实验曲... 对小角X射线衍射法测出的Co/Si多层膜的平均折射率修正值为负的原因作了进一步的分析,提出了修正的具有化合物层的多层膜结构模型,运用光学多层膜理论计算小角衍射强度时代入了负的折射率修正值δ,得到的理论计算曲线与实验曲线趋于一致. 展开更多
关键词 多层 钴/硅多层膜 模型结构 X射线衍射
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Co/Si多层膜的磁控溅射及其X射线衍射分析
14
作者 毛旭 周祯来 +1 位作者 张永俐 杨宇 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1999年第1期27-31,共5页
用超高真空磁控溅射设备在不同溅射压强及衬底温度的工艺条件下制备了一系列Co/Si多层膜.X射线小角衍射证实所研制的多层膜具有周期调制结构.分别采用不同的理论方法计算了多层膜的周期和折射修正项.表明修正项不再仅对折射效... 用超高真空磁控溅射设备在不同溅射压强及衬底温度的工艺条件下制备了一系列Co/Si多层膜.X射线小角衍射证实所研制的多层膜具有周期调制结构.分别采用不同的理论方法计算了多层膜的周期和折射修正项.表明修正项不再仅对折射效应修正,而应理解为更广义的修正项.并应用广义修正总多层膜厚度Bragg公式确定出了主峰之间次峰的级数. 展开更多
关键词 磁控溅射 多层 X射线衍射 钴/硅多层膜
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A Novel Radiation Tolerant SOI Isolation Structure
15
作者 赵洪辰 海潮和 +2 位作者 韩郑生 钱鹤 司红 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1291-1294,共4页
A novel radiation tolerant SOI isolation structure,consisting of thin SiO2/polysilicon/field SiO2 multilayers,is proposed. A device with this structure does not show obvious changes in subthreshold characteristics and... A novel radiation tolerant SOI isolation structure,consisting of thin SiO2/polysilicon/field SiO2 multilayers,is proposed. A device with this structure does not show obvious changes in subthreshold characteristics and leakage current,indicating a superior radiation tolerance to traditional LOCOS. 展开更多
关键词 isolation structure radiation tolerance SOI
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Cutting performance of multilayer diamond coated silicon nitride inserts in machining aluminum-silicon alloy 被引量:8
16
作者 陈乃超 孙方宏 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第7期1985-1992,共8页
Aluminum-silicon (Al-Si) alloy is very difficult to machine and diamond tools are considered by far the best choice for the machining of these materials. Experimental results in the machining of the Al-Si alloy with... Aluminum-silicon (Al-Si) alloy is very difficult to machine and diamond tools are considered by far the best choice for the machining of these materials. Experimental results in the machining of the Al-Si alloy with diamond coated inserts are presented. Considering the fact that high adhesive strength and fine surface morphology play an importance role in the applications of chemical vapor deposition (CVD) diamond films, multilayer technique combining the hot filament CVD (HFCVD) method is proposed, by which multilayer diamond-coating on silicon nitride inserts is obtained, microcrystalline diamond (MCD)/ nanocrystalline diamond (NCD) film. Also, the conventional monolayer NCD and MCD coated inserts are produced for comparison. The as-deposited diamond films are characterized by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and Raman spectrum. All the CVD diamond coated inserts and uncoated insert endure the aluminum-silicon alloy turning to estimate their cutting performances. Among all the tested inserts, the MCD/NCD coated insert exhibits the perfect behavior as tool wear due to its very low flank wear and no diamond peeling. 展开更多
关键词 aluminum-silicon alloy multilayer diamond films silicon nitride cutting performance
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Microstructures and magnetic properties of [SiO_2/FePt]_5/Ag thin films 被引量:2
17
作者 范九萍 许小红 +2 位作者 江凤仙 田宝强 武海顺 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2008年第1期11-14,共4页
[SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied... [SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied to study the magnetic properties and microstructures of the films. The results show that without Ag underlayer [SiO2/FePt]5 films deposited onto the glass are FCC disordered; with the addition of Ag underlayer [SiO]FePt]5/Ag films are changed into L10 and (111) mixed texture. The variation of the SiO2 nonmagnetic layer thickness in [SiO2/FePt]5/Ag films indicates that SiO2-doping plays an important role in improving the order parameter and the perpendicular magnetic anisotropy, and reducing the grain size and intergrain interactions. By controlling SiO2 thickness the highly perpendicular magnetic anisotropy can be obtained in the [SiO2 (0.6 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films and highly (001)-oriented films can be obtained in the [SiO2 (2 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films. 展开更多
关键词 [SiO2/FePt]5 multilayer films SiO2-doping Ag underlayer (001) orientation
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Residual stress of physical vapor-deposited polycrystalline multilayers 被引量:1
18
作者 ZHANG Song ZHANG Hui ZHENG LiLi 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期55-63,共9页
An extended one-dimensional stress model for the deposition of multilayer films is built based on the existing stress model by considering the influence of deposition conditions. Both thermal stress and intrinsic stre... An extended one-dimensional stress model for the deposition of multilayer films is built based on the existing stress model by considering the influence of deposition conditions. Both thermal stress and intrinsic stress are considered to constitute the final residual stress in the model. The deposition process conditions such as deposition temperature, oxygen pressure, and film growth rate are correlated to the full stress model to analyze the final residual stress distribution, and thus the deformation of the deposited multilayer system under different process conditions. Also, the model is numerically realized with in-house built code. A deposition of Ag-Cu multilayer system is simulated with the as-built extended stress model, and the final residual stresses under different deposition conditions are discussed with part of the results compared with experiment from other literature. 展开更多
关键词 growth models stresses physical vapor deposition processes polycrystalline deposition METALS
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