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高性能IGBT
1
作者
毛兴武
许海东
《世界产品与技术》
2000年第12期36-38,共3页
关键词
IGBT
双极晶体管
发射极镇流电阻结构
硅定向耦合
下载PDF
职称材料
题名
高性能IGBT
1
作者
毛兴武
许海东
机构
山东省临沂市电子工业局
北京韶光科技有限公司
出处
《世界产品与技术》
2000年第12期36-38,共3页
关键词
IGBT
双极晶体管
发射极镇流电阻结构
硅定向耦合
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
高性能IGBT
毛兴武
许海东
《世界产品与技术》
2000
0
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