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基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
1
作者
陈晓敏
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2012年第4期518-520,共3页
通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化(local oxidation silicon,LOCOS)技术所生成的"鸟嘴"图形进行了仿真,提出了一种形状模型。随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数,拟合误差为7e-4,并最后以分段函数...
通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化(local oxidation silicon,LOCOS)技术所生成的"鸟嘴"图形进行了仿真,提出了一种形状模型。随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数,拟合误差为7e-4,并最后以分段函数的方式给出了模型的表达式。该模型可以使"鸟嘴"结构更加方便应用于半导体器件的数值仿真和设计。
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关键词
工艺仿真
硅
局部
场
氧化
(
locos
)
形状模型
最小二乘拟合
分段函数
原文传递
题名
基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
1
作者
陈晓敏
机构
成都工业学院信息与计算科学系
出处
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2012年第4期518-520,共3页
文摘
通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化(local oxidation silicon,LOCOS)技术所生成的"鸟嘴"图形进行了仿真,提出了一种形状模型。随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数,拟合误差为7e-4,并最后以分段函数的方式给出了模型的表达式。该模型可以使"鸟嘴"结构更加方便应用于半导体器件的数值仿真和设计。
关键词
工艺仿真
硅
局部
场
氧化
(
locos
)
形状模型
最小二乘拟合
分段函数
Keywords
process stimulation
local oxidation silicon （
locos
）
pattern models
least-square-root regression
multiple functions covering respective ranges
分类号
TP301.6 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模
陈晓敏
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2012
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