介孔硅层柱蒙脱石材料合成的新方法与表征

利用十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB)将天然钠基蒙脱石改性成有机蒙脱石 ,以十二烷胺为模板剂 ,正硅酸乙酯为层柱前驱体 ,在室温下合成了新型介孔硅层柱蒙脱石材料 .用 XRD,TG,FTIR以及 N2 等温吸附 -脱附等技术对产物进行了表征 .结果表明 ,合成材料具有大通道 (净层间距为 2 .75 nm)、介孔孔径且孔分布窄 (平均孔径为 2 .1 7nm)、比表面积高 (SBET=82 1 .6 m2 /g)、热稳定性高 (大于 80 0℃ )等特征 .同时 ,通过改变中性胺的链长 ,研究了孔结构的调变规律 ,分析了材料的成孔机理和热稳定性提高的原因 .

铜合金渗硅层耐磨性及工艺控制

对铜合金进行固体渗硅的工艺方法和渗硅后铜合金表面行为进行了研究。采用本院研制的渗剂对ＺＱＳｎ６－６－３进行渗硅化学热处理，获得了０．８～１．２ｍｍ的渗层。探讨了热处理温度、保温时间等工艺参数对渗层厚度和渗层性能的影响；研究了铜合金渗硅层的微观结构，结合粘着理论、磨损剥层理论和晶体结构，揭示了渗硅后提高耐磨性的原理。研究表明，渗硅的控制步骤是硅在铜合金中的扩散，并给出了渗层厚度与温度及保温时间的经验公式。

硼对熔盐电沉积渗硅层成分及组织结构的影响

选取无硼(NaCl-KCl-NaF-SiO2)和含硼(NaCl-KCl-NaF-SiO2-Na2B4O7)两种熔盐通过电沉积的方法在纯铁表面制备了渗硅层。利用辉光放电光谱仪、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对渗硅层渗入元素的含量与分布、表面形貌及物相组成进行了检测分析。结果表明,硼的加入起到了明显的催渗作用,含硼试样渗层较厚,硅分布均匀;表面平整、致密,晶粒细小;含硼试样由Fe2B及Fe3Si组成,无硼试样由Fe3Si及Si在α-Fe中的固溶体α-Fe(Si)组成,硼的加入降低了FeSi的有序度。

工业纯铜二氧化硅渗硅层耐蚀性研究

为改善纯铜表面性能,提高使用寿命,以二氧化硅为渗剂,采用粉末包渗技术对工业纯铜进行渗硅处理。制备的渗硅层中有Cu_(0.83)Si_(0.17)、Cu_9Si、Cu_(6.69)Si等相产生,渗层最高显微硬度可达349HV0.05,约为基体的5.80倍。研究不同环境下渗硅层的耐蚀性和抗氧化性,铜渗硅后耐酸、盐及人工海水性能较基体分别提高2.26、3.77、4.38倍,抗氧化性能提高18.00倍。结果表明,采用二氧化硅在工业纯铜表面制备渗硅层是可行的。

薄硅层阶梯埋氧PSOI高压器件新结构

基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI(SBPSOI)高压器件结构。埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介质电场,而且对有源层中的电场进行调制,使电场优化分布,两者均提高器件的击穿电压。详细分析器件耐压与相关结构参数的关系,在埋氧层为2μm,耐压层为0.5μm时,其埋氧层电场提高到常规结构的1.5倍,击穿电压提高53.5%。同时,由于源极下硅窗口缓解SOI器件自热效应,使得在栅电压15V,漏电压30V时器件表面最高温度较常规SOI降低了34.76K。

Al质量分数对Q235钢渗硅层耐磨性能的影响

为提高Q235钢的耐磨性,采用固体粉末法对Q235钢进行Al-Si共渗处理.改变渗剂中Al粉质量分数,以研究Al对渗硅层耐磨性的影响.利用扫描电镜、维氏硬度计、磨粒磨损试验等手段对渗后试样的金相组织、硬度、耐磨性能进行表征.结果表明:Al粉质量分数为35%时,渗层厚度最大,渗层硬度最高,耐磨性能最佳.

硅层柱蒙脱土的制备

以钠基蒙脱土为原料,制备了硅层柱蒙脱土,并采用XRD、N2吸附-脱附分析和吡啶吸附红外光谱进行表征,研究硅层柱蒙脱土的水热稳定性及表面酸性。结果表明,硅层柱蒙脱土以中强酸位和强酸位为主,弱酸位较少。硅层柱蒙脱土在800℃焙烧仍保留片层结构不坍塌,600℃经过100%水蒸汽水热处理2 h后片层结构坍塌。

热电法在表征涡轮叶片渗铝硅层厚度中的应用

选取工作300h的涡轮叶片和新品叶片制作试样,试样提供了不同的渗铝硅层厚度,采用热电法和金相法分别对试样上同一位置进行检查,热电法记录该位置处热电势值,金相法测量该位置截面的渗铝硅层厚度,对一系列实测数据进行分析,得到随渗铝硅层厚度增大热电势值相应减小的变化规律,随后对热电检查的外部影响因素进行了试验分析,并结合部分试样给出热电势值随温度、异物、探头角度等改变带来的误差规律。

薄硅层SOI MOSFET击穿电压的二维数值分析

文章主要分析讨论薄层SOI(绝缘层上的硅)器件的击穿特性。采用两种载流子产生、复合作用的器件模型进行二维数值模拟的方法,揭示了薄硅层OSI MOSFET击穿电压降低是由于漏区附近电场强度增强引起的机理。

碳钢渗硅层组织中孔隙的形成原因研究

论述碳钢渗硅组织中孔隙形成原因的有关理论；采用金相、X-射线结构分析、电子探针和离子质谱分析等方法，测定渗硅层的组织结构和成分，并探讨孔隙形成和变化的规律。实验证明，渗硅层中孔的形成，除了铁硅互扩散的柯肯达尔效应之外；是渗硅时催渗剂-卤化物对钢腐蚀所引起的。

X射线荧光光谱法测定纸上涂硅层厚度

随着经济的迅速发展，各行业对不干胶的需求量迅速增大。在不干胶生产过程中，为降低底纸表面张力、获得光滑的表面、防止粘合剂黏在底纸上，需要对底纸表面涂布硅油层。涂布工艺较多，但硅油对涂布工艺质量影响较大，因此需要对硅油层进行质量控制，确保最终产品符合质量的要求。

多晶硅层掺杂浓度对钝化接触效果的影响

隧穿氧化层钝化接触技术中,多晶硅层掺杂浓度对钝化效果有直接影响,本技术利用离子注入实现不同浓度的掺杂,分析了不同掺杂浓度的钝化效果,结果发现在掺杂浓度为6*1015cm^(-3)时,经过950℃退火,可以达到最优的钝化效果,ivoc可以达到715mv。

基于金刚线切片的钙钛矿/硅叠层太阳电池

提出一种免空穴传输层的策略,将自组装单分子层材料作为钙钛矿活性层的添加剂,通过一步旋涂法直接将钙钛矿薄膜制备在导电基底表面,其中薄膜的质量与均一性都得到改善。进一步地,将该方法应用在低成本的商用金刚线切片上,可在高粗糙度的硅表面制备出覆盖度高、形貌致密、无空洞的钙钛矿薄膜。在光电性能方面,用该方法得到的单结钙钛矿太阳电池的光电转换效率为21%,填充因子高达83%,两端钙钛矿/硅叠层太阳电池的光电转换效率为28%。

铜的表面含硅渗层的结构与性能

本文综述了利用ＳｉＨ４／Ｈ２混合气体在纯铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明：通过纯铜表面气体渗硅这一新的化学热处理方法，其表面获得含硅渗层，可以改善铜的表面摩擦磨损。

工业纯铜渗硅层冲蚀磨损性研究

以SiO2为渗剂,对工业纯铜进行粉末渗硅。渗硅层有Cu0.83Si0.17等新相产生,渗层的显微硬度最高达到349 HV0.05,约为基体的5.1倍。冲蚀磨损性能测试表明,随转速增加、冲蚀液水砂比增加,试样的磨损量均增加,渗硅试样比纯铜试样的耐冲蚀磨损性能有明显提高。抗冲蚀磨损性可提高3.02~3.69倍。同样,在人工配制的海水环境中,渗硅试样也表现出良好的耐冲蚀性能。

多层硅基模块晶圆级键合腔体的可靠性

晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔(TSV)的应力集中因子确定了硅基晶圆级键合的应力失效判据。而后通过参数化仿真系统性探究了硅基刻蚀腔体面积及腔体形状等因素对键合应力的影响规律,并绘制出刻蚀腔体设计可靠范围图。结果表明,硅片键合可靠腔体临界面积约为21 mm^(2),且腔体形状越接近正方形越易开裂。该研究为多层硅基模块刻蚀腔体的可靠性设计提供了参考。

二甲双胍盐酸盐辅助结晶制备高效钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池

在钙钛矿太阳能电池的构造中,钙钛矿活性层扮演着核心角色,其薄膜质量直接影响设备的整体效能。提出了一种新颖策略,利用二甲双胍盐酸盐(MET)来辅助晶体生长。具体来说,在有机阳离子溶剂中添加微量的二甲双胍盐酸盐,以此提升钙钛矿的结晶度,进而促成优质钙钛矿薄膜的形成。最后,获得太阳能电池,其最佳光电转换效率为29.39%。

电解法逐层溶解铁素体不锈钢并测定表层和基体中铬和硅的含量

以待分析的铁素体不锈钢和碳棒分别作为阳极和阴极 ,用由阴离子交换膜隔开的三室电解池作为采样器 ,对该钢样进行逐层溶解 ,并用氧化还原滴定法测定每一层中铬的含量。经测定 ,厚度约为 0 0 3mm的表层中铬的平均含量为 7 82 % ,基体中铬的含量为 17 2 0 % ,另该表层中硅的含量为 1 6 9% ,基体中硅的含量为 0 0 774% ,即该不锈钢表层为贫铬富硅层。

飞秒脉冲激光对硅基多层膜损伤特性

为了明确超快激光损伤典型成像探测器膜层结构的物理机制,对飞秒脉冲激光辐照硅基多层膜的损伤特性,以及各种损伤效应对应的激光能量通量范围和阈值条件进行研究。利用波长为800 nm、脉冲宽度为100 fs的脉冲激光和金相显微镜研究了硅基多层膜在不同激光能量通量和不同脉冲累积下的损伤效应。在能量通量为1. 01～24. 7 J/cm^2的激光单脉冲辐照下,激光作用区域可观察到氧化/无定形化、非热烧蚀和激光诱导等离子体烧蚀所引起的表面损伤,其损伤效应与激光能量通量有明显联系,激光作用区域尺寸随能量通量线性增大。在2. 42 J/cm^2到24. 7 J/cm^2激光能量通量范围内,可在辐照表面观察到激光诱导压力导致的多层损伤,损伤概率随激光能量通量的增加由1%增大到51%。在激光能量通量为1. 01 J/cm^2的连续多脉冲辐照下,烧蚀区域尺寸几乎不变,但烧蚀深度逐渐增加,其多层损伤机制为表面损伤的累积效应。通过单脉冲损伤实验数据拟合计算确定,飞秒激光诱导硅基多层膜表面损伤阈值为0. 543 J/cm^2,应力多层损伤阈值为2. 16 J/cm^2。低激光能量通量(≤1. 01 J/cm^2)多脉冲辐照累积作用同样可造成硅基多层膜深层损伤。