汽车用热浸镀铝硅带钢技术研究进展

汽车用热浸镀铝硅带钢技术是一种先进的金属防腐涂层技术,广泛应用于汽车制造领域。基于热浸镀铝硅带钢的制备工艺和性能特点,全面分析热浸镀铝硅带钢在汽车制造领域的应用、市场前景及竞争格局,并对热浸镀铝硅带钢的未来发展进行了展望,旨在为相关领域的科研人员和企业提供参考和借鉴,推动汽车用热浸镀铝硅带钢技术的进一步发展和应用。

颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制

以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果 ,同时讨论了该类电源的结构。

颗粒硅带上薄膜太阳电池的研究

采用颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 6 .36 %的薄膜太阳电池 .对衬底特性、电池制作工艺、存在问题及进一步的研究方向做了探讨 .

用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量

以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高.

颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺

主要阐述了以低纯度颗粒硅带(SSP-Silicon Sheet from Powder)为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池的制备,给出制得的太阳电池I-V曲线和光谱响应曲线并由此讨论影响电池性能的可能因素,着重分析了颗粒硅带衬底的作用。目前,在没有任何电池工艺优化的条件下,在低纯度硅带上制得多晶硅薄膜电池的转换效率通常在5％～7％范围(电池面积1cm2)。

晶体硅薄膜太阳电池的衬底材料——颗粒硅带(SSP)的制备

晶体硅薄膜太阳电池 (CSiTF CrystallineSiliconThinFilmSolarCells)由于具有降低制造成本的空间 ,成为目前研究工作的一个热点。我们将注意力集中在低成本、可连续化的硅衬底制备上 ,即颗粒硅带 (SSP SiliconSheetfromPowder)制备技术。可以使用不同纯度、粒度的硅粉 ,经过光聚焦加热熔化 ,最后得到不同长度、宽度和厚度的颗粒硅带衬底材料。介绍了晶硅薄膜太阳能电池衬底材料的现状 。

低纯度颗粒硅带上硅薄膜太阳电池

采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 4 5 %的薄膜太阳电池。对衬底和薄膜特性、相关工艺及进一步的研究方向做了探讨。

背面熔化对颗粒硅带表面质量的改善

衬底的表面质量对外延薄膜有着显著的影响。为获得高质量的衬底,我们改进了SSP的制备方式。将制备的SSP硅带进行背面熔化后,硅带背面的表面质量得到大幅改善,晶粒明显增大。通过SEM和金相显微镜观察,对两种SSP进行了比较,分析了产生这些变化的原因,并讨论了改进建议。

加热低电阻率硅带和硅片用的行波谐振器

研究了加热低电阻率硅片用的行波谐振腔和微波加热器。微波电路的性能与理论预计是一致的。描述了150毫米(6英寸)直径硅片用微波加热器。对温度的分布进行了理论计算并测量了某些温度分布。

颗粒硅带衬底上多晶硅薄膜电池研制取得新进展

目前中国科学院广州能源研究所太阳能实验室承担的国家“863”项目“颗粒硅带村底上多晶硅薄膜电池的研制”在颗粒硅带衬底制备方面取得了新的进展。多晶硅薄膜电池对衬底的要求是非常苛刻的，它不仅要求衬底满足与硅的化学相熔性好、热膨胀系数匹配，而且还要求衬底表面平整、光滑以适于随后的电池制备过程。

皮带式硅带在巩膜环扎术中的应用

皮带式硅带在巩膜环扎术中的应用重庆医科大学第一医院眼科赵敏，张顺昭巩膜环扎术最常用的材料是用硅橡胶制成的条带，目前，国内多数医院采用的是北京硅橡胶厂生产的环扎硅带。使用时两端需套进一硅导管内拉紧，如有多处裂孔，则常用带槽的环形扣带，将环扎带嵌进环形扣...

中国北部古元古代地壳尺度的伸展拆离和硅铝壳内活动带:北东向线性航磁异常的地质构造解释

早前寒武纪地质构造和分辨率大于120km的长波航磁异常特征表明：塔南-华北-朝鲜北部（狼林地块）具有类似的太古宙结晶基底，它们可能曾经是太古宙统一克拉通的组成部分。20～120km分辨率的中波航磁异常凸现一组北东东-北北东走向、改造太古宙高级变质结晶基底的线性航磁异常，它们分别对应于地壳尺度的长寿断裂。古元古代阶段沿着它们发生了大规模的左行韧性伸展剪切运动，在使塔南、朝鲜北部陆块分别向南西和北东伸展拆离的同时，华北克拉通内部也出现了有限的裂解，并伴随着硅铝壳内活动带的发育。本文将这些古元古代阶段韧性伸展剪切带划分为塔南与华北陆块之间的西部剪切带系统、华北与狼林陆块之间的东部剪切带系统和华北陆块内部的青龙-太行山-中条山等3个独立的剪切带系统。西部韧性剪切系统由阿尔金、大同-环县、以及它们之间的狼山-吉兰泰、雅布赖山等次级剪切带组成，控制古元古代阿拉善群和上集宁群的孔兹岩系为代表的硅铝壳内活动带的沉积-构造演化。东部韧性剪切系统包括沂水和新宾-桦甸等韧性剪切带，相关的古元古代活动带以胶东地区的粉子山群、荆山群和辽吉地区的辽河群为代表。中部韧性剪切带系统以太行山地区阜平群、赞皇群中出现的角闪岩相糜棱片麻岩、眼球状糜棱岩带为代表，发育b-型线理，指示近水平或低角度斜滑性质的左行韧性剪切，相关的古元古代活动带包括双山子-青龙河、五台-滹沱、甘陶河-东焦、吕梁、中条以及济宁等。不同规模的古元古代活动带彼此并不相连，以发育变质沉积-火山岩建造为主体，岩石磁化率明显低于太古宙高级变质结晶基底，与之相关的韧性剪切带则以其透入性矿物线理产生了增强的磁化率各向异性，两者共同构建了地壳尺度北东东-北北东向线性航磁异常带。古元古代末的中条运动使上述硅铝壳内活动带褶皱回返，塔南-华北-朝鲜北部陆块重新焊接，形成近纬向展布逐渐稳定的中轴大陆克拉通，上述地壳尺度的韧性伸展剪切带在中元古代以后的地质历史中，大多被后期不同性质的脆性断裂所追踪。

空位缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响

基于密度泛函理论,采用广义梯度近似下的第一性原理投影缀加波赝势方法,系统的研究了单空位(双空位)缺陷对锯齿型硅纳米带电子结构和磁性的影响。结果表明:不同位置的单原子空位(双原子空位)锯齿型硅纳米带,结构弛豫后,都能得到一个九边环(八边环),同类缺陷更容易在锯齿型硅纳米带的边缘区域形成;与完整的锯齿型硅纳米带相比,中心位置含空位缺陷(单原子或双原子空位)的锯齿型硅纳米带由原有的反铁磁半导体转变为反铁磁金属;非中心位置含空位缺陷(单原子或双原子空位)的锯齿型硅纳米带则具有铁磁态金属性,在远离缺陷的纳米带边缘硅原子上局域的分布着差分电荷密度,这使得锯齿型硅纳米带在自旋电子学领域拥有可观的应用前景。

铝或磷原子掺杂下锯齿型硅烯纳米带的自旋热电效应

基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了铝或磷原子掺杂对锯齿型硅烯纳米带输运特性和自旋热电效应的影响.发现通过改变铝或磷原子掺杂位置,其费米面处的自旋极化率可以达到100%或-100%,同时其自旋向上(对于-100%)和自旋向下(对于100%)对于塞贝克效应也得到明显加强.甚至在特殊的掺杂位置和电子能量时,其自旋塞贝克系数可以远大于相应的电荷塞贝克系数.表明用铝或磷掺杂后的锯齿型硅烯纳米带可以用作制备理想的热自旋器件.

直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计

Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何设计具有直接带隙硅基材料,备受实验研究工作者和材料设计理论工作者的关注.本文介绍一种新的硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A)的能带结构计算.在密度泛函理论框架内,采用混合基从头算赝势法模拟计算表明,其中Se/Si6/O/Si6/Se及Se/Si6/S/Si6/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于红外波段.预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能,其制作也可较方便地与硅微电子工艺兼容.预计该材料在信息光电子领域将有强大的应用潜力.

硼氮掺杂对锯齿型硅烯纳米带器件中自旋输运的调控

采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了硼和氮原子单独掺杂对锯齿型硅烯纳米带器件中自旋输运行为的调控作用。研究发现硼和氮原子都是掺杂在锯齿型硅烯纳米带的边缘最稳定。硼和氮原子的掺杂区域对器件的自旋输运性质起着关键作用:当掺杂在器件的散射区时,可发现微小的自旋劈裂现象;但是当掺杂在电极区时,会出现较明显的自旋劈裂现象,相应的自旋过滤效率可高达100%。

水平硅带生长过程的数值研究

建立了水平凝固生长模型,采用凝固动力学和变形几何追踪凝固前沿,通过求解N-S方程和能量方程获得生长模型的速度场、温度场和压强场的分布。进行适当的参数研究,研究射流冷却速度、拉伸速度、Marangoni流对凝固结晶的具体影响。结果表明:凝固结晶过程的温度分布主要取决于热扩散而非流体流动;相对于射流冷却速度,Marangoni应力、拉伸速度对熔体流动更具影响力;Marangoni流对生长过程影响可以忽略;硅片厚度随射流冷却速度的增大而增大,与之相反,随拉伸速度的增大而减小;最大拉速取决于热移除条件,移除热量的速度越快,对应的极限拉伸速度越高。