克服低击穿的硅平面技术

为提高硅平面大功率管的成品率和可靠性,提出了一种刻蚀槽和低温钝化相结合的克服低击穿的硅平面枝术.采用该技术可消除绝大多数平面晶体管管芯的低击穿和穿通点,从而大幅度提高管芯、特别是大功率管管芯的合格率和高档品率.由于应用该技术可消除低击穿点及杂质淀积和缺陷集中区而使器件的固有可靠性得到提高.