驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜

介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对 Si片的定向自截止腐蚀 ,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑 Si平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在 3～ 4 μm的 Si平面薄膜 ,在扫描范围为 1 0 0 0 μm时 ,它的表面粗糙度为几十纳米 ;SEM测量表明 ,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级 ;探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低 Si膜表面粗糙度的方法。

激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜

研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为 3～ 4 μm ,表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺 ,在Si膜表面引入 2 5μm× 2 5μm的网格图形或线宽为 5μm的条状图形 ,获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响 。