电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列

采用TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件。借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨。结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关。倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构,且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径。微柱直径始终小于2倍的空间电荷区宽度。微柱内载流子的耗尽是微柱未被刻蚀的主要原因。

用化学方法制备硅场发射阵列

利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。

面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀

利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作１２８×１２８元面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微台（微环尖）阵列的表面微结构形貌特点．所制成的面阵硅微尖和硅微台（微环尖）器件的图形整齐均匀，达到了预定的各项指标的要求．实验表明，所采用的器件制作方法有较大的实用价值．

Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究

对Ｓｉ—ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００～４００ｖ之间５０μＡ冷发射阳极电流。

超微细加工及设备

TN305.7 97021357用化学方法制备硅场发射阵列=Preparation ofsilicon tips array[刊,中]/元光,金长春,金亿鑫,宋航,荆海,朱希玲,张宝林,周天明,宁永强,蒋红,王惟彪(中科院长春物理研究所.吉林,长春(130021))//发光学报.—1996,17(4).—341—345利用各向同性腐蚀液制了硅微尖阵列。并考察了各主要工艺参数对微尖形貌的影响。图6参6(赵桂云)