掺钯硅快恢复二极管V_F～T_(RR)兼容性研究

作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF～TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF～TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管.

用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究

针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究 ,得到了全面系统的研究结果 ,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间 ( trr)、反向恢复软度因子 ( S)、正向压降 ( VF)、漏电流 ( IR)等各个单项性能的影响 ,以及对 trr- S、trr- VF 和 trr- IR 等各项性能综合折衷的影响 .这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值 .