PLD系统中硅板加热器温度的影响因素

研究了PLD系统中用硅板做衬底加热器时影响衬底温度的几个因素。通过使用校准了的红外测温仪做温度检测元件 ,发现 :1 硅板上各部分的温度不是均匀分布的 ;2 衬底放在硅板上时 ,衬底温度和硅板温度有很大的不同 ;3 在相同的硅板加热电流下 ,硅板温度随硅板环境的真空度不同而变化。不细致考虑上述因素时 ,脉冲激光沉积 (PLD)

镀铝锌硅板露铁缺陷原因分析

梅钢热镀铝锌硅产品在生产过程中带钢表面产生局部露铁缺陷,通过对露铁缺陷部位进行微观形貌及能谱分析,结果表明:镀铝锌板在生产中出现的露铁缺陷,微观形貌由多个小片状露铁组成;露铁处不同部位的氧元素含量均较高,说明基板被氧化,这是导致浸润性差、未形成合金层的主要原因;露铁处钛含量较高,可判断为钛的化合物在这些部位聚集,阻碍了铁基板与镀液的反应,这是导致未形成合金层的又一原因。通过对露铁缺陷产生原因的分析,结合梅钢热镀铝锌产线的工艺特点,提出了预防露铁发生的控制措施。

热轧硅板退火温度及速度控制

热轧硅板是硅钢板生产的重要途径,由于其在轧后含碳量高、晶粒破碎、内应力大,使电磁性能较差.为消除以上因素影响,热轧硅板必须在轧后通过退火进一步脱碳,调整晶粒大小,消除内应力,以获得良好的电磁性能. 硅板在退火过程中,由于钢板各部位受热不均,产生较大温差,极易使硅板产生浪形,影响硅板的使用性能. 综上所述,硅板在退火过程中,如何通过控制退火温度、速度及时间,获得良好的电磁性能和板型,是退火控制的重要内容.

高加工性镀铝锌硅板的研究与开发

为了开发高加工性能热镀铝锌硅板,实现CSP-冷轧-连退镀锌工艺路线下工业化稳定生产,通过改进钢水成分及轧制工艺设计,采用Nb微合金强化,利用Gleeble试验机模拟连退线工艺研究了600~740℃温度退火条件下对性能和组织的影响,确定了冷轧基板的再结晶温度范围为670~700℃,在工业化试生产中将实际退火温度控制在715~740℃范围,在保证了产品具有较高强度的前提下,加工性能提高了档次。

分布式晶硅板光伏支架的结构优化

本文针对目前通用型分布式晶硅光伏板安装结构和安装方式的缺陷进行优化,在节约光伏板安装支架制造成本的基础上,提高光伏板的发电效率。

基于硅基载板微系统封装的散热结构研究

基于硅基载板与芯片之间有良好的热膨胀系数匹配性能和硅通孔(TSV)有高密度的互联技术特性,硅基载板广泛应用于高集成度、高可靠微系统封装。然而射频链路中存在较大的发热,可能导致芯片高温时无法正常工作,同时在封装内部产生较大的热应力,可能引起分层、互联失效等可靠性问题,因此硅基载板封装系统的散热设计至关重要。文章以典型硅基载板封装为例,采用数值仿真方法,研究A型(PCB板)、B型(PCB+铜板)和C型(PCB+铜板+散热翅片)3种散热结构和不同对流工况对封装内部芯片散热的影响,并与原始封装散热效果作对比。研究结果表明,改变外流场速度从而增大封装与外流场的换热系数、增大封装散热面积、提高封装的导热系数均可改善硅基封装的散热效率;最佳散热结构和工况为强迫对流工况下的C型结构。

空腔结构硅基载板封装的机械应力分析

基于硅基载板与芯片之间良好的热膨胀系数匹配性和硅通孔的高密度互联特性,硅基载板广泛应用于高集成度、高可靠微系统封装中。封装产品在工作过程中需要经受外界不同的加速度、随机振动、机械冲击以及环境温度变化、器件工作发热等引起的热应力,这些应力均可能引起封装发生分层、断裂等失效。因此,很有必要预测外界环境对封装可靠性的影响。本文以典型硅基载板封装为例,采用数值仿真方法研究封装在使用过程中外界机械应力和热应力对其可靠性的影响。结果表明,热应力对封装的变形和应力影响最大;随机振动频率50~2000 Hz范围和功率谱密度为4(m·s^(-2))^(2)/Hz内,封装不会产生共振失效;机械冲击载荷对封装影响最小。实际封装产品经过机械冲击和随机振动等试验验证,满足设定的使用要求。

硅墨烯免拆模一体保温板抹面砂浆粘结强度现场检测实例分析

近年来,诞生了许多新型保温材料及配套保温系统设计方案,但现行的外墙保温材料大多存在施工成本高、防火性能难以达标等问题。而硅墨烯保温板及硅墨烯保温与结构一体化系统解决方案凭借其在建筑保温节能领域长期可靠性与绿色节能效益的优势,被重点推广和应用。通过调研,硅墨烯免拆模保温系统施工管理主要存在保温板与基层粘结强度不达标、保温系统抹面与保温层拉伸粘结强度不达标的问题。而保温系统的质量问题对建筑运维安全至关重要,为了对硅墨烯免拆模保温系统抹面砂浆粘结强度及破坏模式有一系统的了解,论文对该品种保温系统抹面砂浆粘结强度进行了现场检测,并对检测结果进行了探讨和分析。

基于硅基板专用TAP控制器的Chiplet测试电路

针对2.5D Chiplet中芯粒键合后的测试需求,在传统2D集成电路测试方法基础上,提出了一种基于硅基板专用测试访问端口(Test access port,TAP)控制器的Chiplet测试电路,该电路包括硅基板专用TAP控制器、硅基板测试接口电路和芯粒测试输出控制电路。其中,硅基板专用TAP控制器在传统TAP控制器的基础上增加了一个自定义的测试数据寄存器及对应指令,其输出控制信号可以灵活选择单个或多个芯粒进行测试。仿真结果表明,提出的测试电路可以解决2.5D Chiplet键合后测试控制问题,其并行测试大大缩短了测试时间,并且外部测试端口数量仅为5个。

硅基板表面电沉积法制备HAP涂层及表征

在含有Ca^(2+)和PO_4^(3-)的电沉积液中,以硅基板为阴极,在其表面制备了HAP涂层,并用XRD、SEM、AFM及纳米压痕对涂层进行表征。通过对不同电沉积时间的涂层进行分析,可知加上电压后可以快速的在硅基板表面形成HAP的涂层,随着沉积时间延长,晶粒长大,涂层增厚,并在涂层上产生裂纹。由XRD图谱可知在最初阶段形成的HAP晶粒结晶度低,为无定型态状态,随着电沉积时间延长,组成涂层的晶粒结晶程度提高,XRD峰值增大变得尖锐。AFM分析表明晶粒生长均匀,粗糙度较低,纳米压痕测试结果显示涂层的力学性能较低。

改良型硅铝镁质棚板的研制与应用

采用添加剂研制了改良型硅铝镁质棚板。结果表明,由于添加剂的作用,使棚板基质中生成较多细微针状莫来石(类似网状交织在一起)和较均匀的封闭型小圆孔,从而使其使用次数达120次以上,每吨原料成本仅110元左右。

硅基板上Fe掺杂TiO_2氧敏薄膜的制备、结构与性能研究

采用溶胶-凝胶法,以Ti(OC4H9)4为前驱体,用提拉法在硅基板上制备了掺Fe的TiO2氧敏薄膜,对薄膜物相结构进行了X射线衍射(XRD)测定,利用扫描电镜(SEM)对薄膜微结构进行了观察.结果表明:在硅基板上生长的TiO2薄膜中锐钛矿相为均匀小晶粒分布结构,金红石相以大尺度团聚结构形貌出现.Fe离子的掺杂对硅基板上制备的TiO2薄膜中金红石相的形成有很大的影响.Fe的掺入降低了金红石相的形成温度约100℃,Fe掺量在6mol% 时,形成金红石相的量达到最大,即析晶能力最强.薄膜中形成晶相的晶格常数在<6mol%的低Fe范围内,随较小的Fe离子取代较大的Ti离子,锐钛矿相和金红石相的晶格常数都随之减小;在>6mol%的高Fe掺量范围内,随Fe掺量的增加,体系缺陷过量增加,晶格结构畸变严重,伴随着畸变能的释放,金红石相的晶格常数c轴逐渐增长,n轴略有下降(或基本不变). TiO2氧敏薄膜的氧敏性能受金红石相含量和氧空位浓度控制.当Fe离子掺杂浓度为6mol% 时,金红石相及相应氧空位达到最大值,TiO2氧敏薄膜的氧敏性能也达到最大值,比刚形成金红石相的薄膜的氧敏性能增加近19倍.

高纯锗探测器低本底硅前端电路基板设计

设计并完成了用于高纯锗探测器的硅基低本底前端电路基板。结合装配需求、基板特征阻抗和工艺可行性完成了尺寸为15 mmX15 mm,包含14个通孔结构的硅基板设计。利用光敏性苯并环丁烯在硅基板上进行焊盘开窗,同时作为金属布线保护性介质。通过微纳加工工艺完成了硅基板的制备,通过ASIC芯片的引线键合.无源器件的表面贴装完成了封装。实验测试表明:硅基板功能良好、噪声水平优于有机基板、可以通过初步的可靠性测试(冷热冲击100个循环、高温储存72h).在连续8h工作中稳定性良好。

基于硅基板的高速传输线研究

基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S参数表征其传输特性,将设计仿真结果和测试结果进行了对比,其S11曲线吻合较好,但S21曲线差异明显,在2.5 GHz,表层传输线S21仿真结果和测试结果相差0.10 dB左右;内层传输线S21仿真结果和测试结果相差最大达1.35 dB。对工艺误差、介质电参数、金属粗糙度等引入传输损耗的因素进行了分析和仿真验证,认为精确控制PI层厚度等工艺参数,是提高传输线性能最关键的方法。

基于硅基集成工艺的基板堆叠传输结构设计

随着电子产品向小型化、轻量化方向发展,堆叠基板的垂直互连成为高密度电路集成的关键技术。垂直互连结构会影响跨层传输的信号质量,进而影响电路的射频性能。基于该互连结构的主要传输原理,采用多层硅基板进行堆叠,通过焊球实现上下层的信号传输,利用HFSS仿真软件建立垂直互连结构模型,分析了关键结构参数对传输性能的影响。仿真结果表明优化后的垂直互连结构在DC~20 GHz的频段内回波损耗优于15 dB,传输损耗优于0.5 dB,能够实现良好的微波传输性能。

轻质硅镁条板隔墙施工技术

轻质硅镁条板具有安装简便快捷、节能环保、美观耐用等特点,适用于多层、高层、超高层的住宅和公共建筑的非承重内隔墙。结合在内蒙古金融商务中心工程的成功应用实例,具体介绍了该板的施工技术,可为设计施工人员提供一定的参考。

TSV硅转接基板的可靠性评价方法

硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式,是实现千级IO芯片高密度组装的有效途径,近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯片相近的热导率可以解决陶瓷基板和芯片之间线宽和热导率不匹配的问题。随着硅基板技术的推广,其可靠性评价是应用前急需解决的问题。目前并没有关于TSV硅转接基板的可靠性评价要求的国内相关标准。从TSV硅转接基板的结构出发,借鉴国军标相关标准,形成了针对硅转接基板的可靠性评价方法,并进行了工程验证。验证结果表明通过有针对性的评价方法,可以反映出TSV硅转接基板的质量特性,实现可靠性评价。