一种高隔离度视频模拟开关

介绍了Π型结构的ＣＭＯＳ模拟开关的电路设计。采用４μｍ硅栅自对准技术、全离子注入浅结工艺制造出了ＳＢ８０４ＣＭＯＳ模拟开关，在３０ＭＨｚ的视频信号下，其隔离度高达６３ｄＢ、开关时间小于５０ｎｓ。

一种双路输出低压差电源的研制

文章介绍了一种CMOS双路输出低压差电源。电路设计中,采用E/DNMOS基准,用PMOS管作调整管;电路实现采用1 5μm硅栅自对准E/DCMOS工艺。该低压差电源可提供输出电流为1A的3 3V固定输出(压差为0 6V)和1A可调输出,并具有短路保护和过压保护等功能。

一种用于16位A/D转换器的2μm CMOS工艺

介绍了一种 CMOS 1 6位 A/D转换器的工艺技术。该技术采用 2μm硅栅自对准 CMOS工艺、全离子注入和快速热退火。并分别用 P阱和双阱工艺、多晶硅栅注砷和注 BF2 制作了电路样品。两种工艺均能满足 1 6位 A/D转换器的要求 ,但

双栅MOSFET'S的短沟道效应

双栅 MOS 场效应晶体管(DG-MOSF-ET'S)随沟道长度的缩短而阈值电压和击穿电压等相应的降低,即出现了所谓短沟道效应。本文就是对这种特性进行分析和推导。以使对 DG-MOSFET'S 有更进一步的认识,从而达到更广泛的应用。