硅桥连双(三甲硅基环戊二烯基)钛化合物的合成及脱硅基反应

硅桥连双（三甲硅基环戊二烯基）双锂盐与ＴｉＣｌ４·２ＴＨＦ反应，生成相应的钛化合物［Ｅ（Ｃ５Ｈ３ＳｉＭｅ３）２］ＴｉＣｌ２［Ｅ＝Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２（３），Ｍｅ２ＳｉＯＳｉＭｅ２（５）］，同时还分离到了脱一个三甲硅基的产物［Ｅ（Ｃ５Ｈ４）（Ｃ５Ｈ３ＳｉＭｅ３）］ＴｉＣｌ２［Ｅ＝Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２（４），Ｍｅ２ＳｉＯＳｉＭｅ２（６）］．其中四甲基二硅氧桥连配体更容易发生这种脱硅基反应．通过元素分析。

四甲基二硅桥连二(环已基环戊二烯基)四羰基二铁的合成、结构及热重排反应研究

1,2-二(环己基环戊二烯基)四甲基二硅烷与Fe(CO)_5在二甲苯中加热回流生成二铁化合物(Me_2SiSiMe_2)[(c-C_6H_(11)-C_5H3)Fe(CO)]_2(μ-CO)_2(2).通过柱层析分离到2的顺反两种异构体2c和2t,并分别进行热重排反应,发现顺式底物2c重排生成反式重排产物[Me_2Si(c-C_6H_(11)C_5H_3)Fe(CO)_2]_2(3t),而反式底物2t重排则生成顺式重排产物3c.这表明重排反应是立体专一性的。通过X射线衍射分析测定了化合物2c和3t的晶体结构。

四甲基二硅桥连二(1-苯基环己基环戊二烯基)四羰基二铁的合成、结构及热重排反应研究

1,2 -二 ( 1 -苯基环己基环戊二烯基 )四甲基二硅烷与 Fe( CO) 5在二甲苯中加热回流生成二铁化合物( Me2 Si Si Me2 ) [( 1 -Ph-c-C6H10 C5H3 ) Fe( CO) ]2 ( μ-CO) 2 ( 2 ) .通过柱层析分离到化合物 2的顺反异构体 2 c和2 t,并分别进行热重排反应 ,发现顺式底物 2 c重排生成反式重排产物 [Me2 Si( c-C6H10 Ph C5H3 ) Fe( CO) 2 ]2( 3 t) ,而反式底物 2 t重排则生成顺式重排产物 3 c.这表明重排反应是立体专一性的 .通过 X射线衍射分析测定了化合物 2 c和 3 t的晶体结构 .

四甲基二硅桥连双环戊二烯基四羰基二铁的芳香异腈取代及热重排反应

四甲基二硅桥连双环戊二烯基四羰基二铁与芳香异腈在苯中加热回流生成一个或两个羰基被芳香异腈取代的化合物(Me2 SiSiMe2 )(C5H4 )2 Fe2 (CO)4 -n(CNAr)n [Ar=C6 H5,n =1(1),n =2(2 );Ar=p MeC6 H4 ,n =1(3 ),n =2(4)].单异腈取代化合物 1和 3在二甲苯中加热均可发生热重排反应,生成相应的重排产物(Me2 SiC5H4 )2 Fe2 (CO)3 (CNAr)[Ar=C6 H5(5 ),p MeC6 H4 (6)].通过1HNMR,IR和元素分析表征了化合物 1～ 6的分子结构,并通过X射线衍射分析测定了化合物

四甲基二硅桥连双(四甲基环戊二烯基)四羰基二铁的反应性

标题化合物1与HgCl2反应,除生成希望的产物2外,还分离到2的歧化产物3和4。1经Na-Hg还原,生成Fe-Fe键断裂的双铁负离子5,5分别与多种氯化物反应,生成在铁原子上引入取代基的衍生物6,7和8。以元素分析,IR及1H NMR谱表征了化合物2～4及6～8的分子结构。

硅桥连双环戊二烯基ⅣB族金属二氯化物的反应

前文报道了标题化合物[（Me2Si）、（C5H4）2MCl2,n=1,2,3;M=Ti,Zr,Hf]的合成及结构,本文进一步报道它们与某些亲核试剂的反应,探讨硅桥长度的不同以及与非桥连的相应母体化合物相比,其活性的差异。

面向Chiplet集成的三维互连硅桥技术

摩尔定律的发展速度放缓和集成电路产品应用的多元化趋势,共同推动了先进封装技术的快速发展。先进互连技术是先进封装的核心,在高速、高频传输、功耗、超细节距互连以及系统集成能力等方面均展现出显著优势。硅桥技术作为Chiplet以及异构集成封装的重要解决方案,可以以较低的成本实现多芯片间的局部高密度互连,在处理器、存储器、射频器件中被广泛应用。介绍了业界主流的硅桥技术,并对硅桥技术的结构特点和关键技术进行了分析和总结。深入讨论了硅桥技术的发展趋势及挑战,为相关领域的进一步发展提供参考。

集成DTC的埋入硅桥式扇出型封装的去耦设计

对于供电网络面临的电源完整性挑战,采用一种集成深槽电容(DTC)的埋入硅桥式扇出型封装结构,以改善其供电性能。介绍了硅桥芯片和DTC的制作工艺以及DTC与埋入硅桥芯片的连接方式,并对硅桥芯片、DTC分别进行仿真,以验证DTC的去耦效果。进一步研究了集成DTC的埋入硅桥式扇出型封装、在基板背贴硅电容的扇出型封装和无去耦电容的扇出型封装3种方案对电源分配网络(PDN)阻抗的去耦效果。通过对比3种方案的仿真结果,发现埋入硅桥式扇出型封装结构的自阻抗值和转移阻抗值较在基板背贴硅电容的扇出型封装结构分别低74%和95%,较无去耦电容的扇出型封装结构分别低91%和97%。

基于硅桥芯片互连的芯粒集成技术研究进展

在后摩尔时代,通过先进封装技术将具有不同功能、不同工艺节点的异构芯粒实现多功能、高密度、小型化集成是延长摩尔定律寿命的有效方案之一。在众多先进封装解决方案中,在基板或转接板中内嵌硅桥芯片不仅能解决芯粒间局域高密度信号互连问题,而且相较于TSV转接板方案,其成本相对较低。因此,基于硅桥芯片互连的异构芯粒集成技术被业内认为是性能和成本的折中。总结分析了目前业内典型的基于硅桥芯片互连的先进集成技术,介绍其工艺流程和工艺难点,最后展望了该类先进封装技术的发展。

基于硅桥的新型甲醛气体传感器的研究

提出了一种基于高分子薄膜溶胀效应的新型MEMS压阻式甲醛气体传感器,其结构由嵌入惠斯通电桥的硅桥和一层改性丙烯酸酯气敏薄膜构成,敏感薄膜因吸收甲醛气体发生溶胀使硅桥上的惠斯通电桥产生输出电压,从而实现对甲醛气体的检测。基于弹性力学薄板原理构建了该气体传感器中硅桥与改性丙烯酸酯薄膜相互作用的模型,并推导出传感器的输出公式。实验结果验证了理论分析模型,实验结果表明该传感器有很好的线性,选择性。实验测得该传感器灵敏度为0.975×106ecr,分辨率为10×10-6,响应时间和恢复时间分别为50 s和65 s。该传感器结构简单、无须加热,工艺成熟、成本低,应用MEMS工艺技术可实现与信号处理电路的集成。

硅桥联[1]二茂铁衍生物阴离子引发和过渡金属催化引发开环聚合的研究进展

综述了近年来硅桥联 [1 ]二茂铁衍生物阴离子引发和过渡金属催化引发开环聚合研究进展。

微机械硅桥的热激励挠曲及谐振频率变化的理论分析

本文分析了镀膜双层微机械硅桥的热激励挠曲及谐振频率变化 ,建立了相应的数学模型 ,并对热挠曲灵敏度进行了优化设计 .同时在充分考虑金属镀膜影响的情况下 ,给出了谐振频率变化的计算模型 ,该模型通过和测试数据的对比 ,验证了其正确性 .

柄型金属有机化合物(Ⅵ)——四甲基二硅氧桥连不对称茂金属化合物的合成、结构及催化乙烯聚合

四甲基二硅氧桥连不对称环戊二烯基及茚基配体 C5H5Me2 Si OSi Me2 Cp′H相继与丁基锂及 MCl4 ·2 THF作用 ,生成四甲基二硅氧桥连不对称茂金属化合物 (Me2 Si OSi Me2 ) (C5H4 ) (Cp′) MCl2 [Cp′=C5H3But,M=Ti(1 ) ,Zr(2 ) ;Cp′=C9H6 ,M=Ti(3 ) ,Zr(4 ) ].通过元素分析、MS和 1 H NMR谱表征了化合物的分子结构 ,并通过 X射线衍射分析测定了化合物 1的晶体结构 .研究了在 MAO(甲基铝氧烷 )的助催化下 ,化合物 1～

四甲基二硅桥联茚基环戊二烯基四羰基二铁的合成、结构及热重排反应

ClMe2 SiSiMe2 Cl顺序与茚基锂和环戊二烯基锂作用 ,生成 (1 C9H7)Me2 SiSiMe2 C5H5.后者进一步与五羰基铁反应 ,得到硅硅桥联茚基环戊二烯基化合物 [η5,η5 (1 C9H6)Me2 SiSiMe2 C5H4]Fe2 (CO) 4 (2 ) .化合物 2在加热条件下发生重排反应 ,给出硅硅键和铁铁键复分解产物 Me2 Si(η5 1 C9H6)Fe(CO) 2 SiMe2 (η5 C5H4)Fe(CO) 2 (3 ) .利用X射线衍射法 ,测定了 2和

四甲基硅锗桥连双环戊二烯基及双（四甲基环戊二烯基）四羰基二铁的合成、结构及热重排反应

1.2-二氯四甲基硅锗烷分别与环戊二烯基锂及四甲基环戊二烯基锂反应得到两个新的双齿配体:C5H5Me2SiGeMe2C5H5(9)和C5HMe4Me2SiGeMe2C5HMe4(10).配体9和10分别与Fe(CO)5在二甲苯中加热生成四甲基硅锗桥连双环戈二烯基四羰基二铁(11)和四甲基硅锗桥连双(四甲基环戊二烯基)四羰基二铁(13)11和13均可发生热重排反应,生成[(η-C5R4)Fe(CO)2]2(μ-Me2Si)(μ-Me2Ge)(R=H,12;R=Me,14).测定了化合物11,12,13及14的晶体结构。

硅桥谐振子的谐振频率受照射光功率影响的理论模型

对光照射下硅桥谐振子的谐振频率变化进行了理论分析 ,并建立了相应的理论模型 .该理论模型建立在对硅桥进行热传导分析、热应力应变分析和机械振动分析的基础上 ,理论推导过程严密 ,且理论模型的模拟结果与实验测试数据吻合得很好 。

硅桥联[1]二茂铁衍生物热开环聚合的研究进展

用热开环聚合法（ＲＯＰ）制备骨架结构中含过渡金属原子的聚合物是近年来兴起的新的合成方法。用该方法得到的聚合物分子量大，具有独特的电、光、磁特性，有明显的应用前景。本文对近几年来硅桥联［１］二茂铁衍生物热引发开环聚合研究进展作一综述。

硅桥联茂金属催化1-癸烯聚合的研究

用硅桥联茂金属催化体系rac-Me_2Si(1-Ind)_2ZrCl_2/Al(i-Bu)_3/[Me_2NHPh]^+[B(C_6F_5)_4]^-催化1-癸烯聚合,考察了茂金属浓度、Al/Zr摩尔比、B/Zr摩尔比、反应温度、反应时间对聚合产物性能的影响。结果表明:在Zr/1-癸烯摩尔比为4×10^(-5)、Al/Zr摩尔比为80、B/Zr摩尔比为1.2、反应温度为80℃、反应时间为1h的条件下,1-癸烯的转化率达到97.6%,运动黏度(100℃)为599.4mm^2/s,黏度指数为285,倾点为-26℃,数均相对分子质量为12 608,相对分子质量分布为1.86。同时结合聚合反应机理和催化剂微观构型,对比分析了硅桥联茂金属催化体系rac-Me_2Si(1-Ind)_2ZrCl_2/Al(i-Bu)_3/[Me_2NHPh]^+[B(C_6F_5)_4]^-与亚乙基桥联茂金属催化体系rac-Et(1-Ind)_2ZrCl_2/Al(i-Bu)_3/[Me_2NHPh]^+[B(C_6F_5)4]^-在催化1-癸烯聚合方面的不同表现,表明无论是从催化剂的活性还是从产物相对分子质量来看,硅桥联茂金属催化剂的性能明显优于亚乙基桥联催化剂。最后釆用全自动反应量热仪进行放大反应,得到此反应的聚合反应热为61.8kJ/mol。