1
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究
吕贤亮
黄东巍
周钦沅
李旭
《电气技术》
2020
0
2
大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2024
0
3
530~650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管
刘洪军
傅义珠
李相光
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
4
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现
韩成功
郭清
韩雁
张斌
张世峰
胡佳贤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
5
S波段200 W硅LDMOS功率管研制
刘洪军
赵杨杨
鞠久贵
杨兴
王佃利
杨勇
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019
0
6
1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制
应贤炜
王建浩
王佃利
刘洪军
严德圣
顾晓春
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
4
7
2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管
应贤炜
王佃利
李相光
梅海
吕勇
刘洪军
严德圣
杨立杰
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
3
8
宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计
冯耀兰
魏同立
张海鹏
宋安飞
罗岚
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
5
9
GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响
梁海莲
董树荣
顾晓峰
李明亮
韩雁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
10
阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件
段宝兴
李春来
马剑冲
袁嵩
杨银堂
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
11
极端低温下硅基器件和电路特性研究进展
解冰清
毕津顺
李博
罗家俊
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
12
总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响
蔡俊
傅义珠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
13
千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究
黄乐旭
应贤炜
梅海
丁晓明
杨建
王佃利
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2019
0
14
锗硅BiCMOS中的低成本、高性能PNP器件设计与制备
钱文生
刘冬华
石晶
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
15
沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究
雷海波
王飞
肖胜安
《集成电路应用》
2013
0
16
SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型
邹晓
徐静平
李艳萍
陈卫兵
苏绍斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
17
栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响
恩云飞
何玉娟
罗宏伟
潘金辉
肖庆中
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
18
应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟
屠荆
杨荣
罗晋生
张瑞智
《电子器件》
EI
CAS
2005
2
19
基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片
黄伟
胡南中
李海鸥
于宗光
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
20
基于单稳态电路的PFM控制器设计
邹雪城
陈继明
郑朝霞
肖华
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1