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铝基底上SiO_x陶瓷膜层的CVD制备及结构性能 被引量：2
1
作者 刘立 郦剑 +1 位作者 叶必光 沈复初 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期70-73,111,共5页
本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.介绍了陶瓷膜层的制备工艺及设备.通过SEM、TEM观察了该膜层的形貌,并用XPS测定了膜层的成分,用TEM分析了陶瓷膜层的结构特征.通过拉伸实验、划痕实验及... 本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.介绍了陶瓷膜层的制备工艺及设备.通过SEM、TEM观察了该膜层的形貌,并用XPS测定了膜层的成分,用TEM分析了陶瓷膜层的结构特征.通过拉伸实验、划痕实验及弯曲实验考察了陶瓷膜层与铝基底的结合性能,结果表明,膜层与基底的结合非常好. 展开更多
关键词 铝基底 硅氧化合物陶瓷膜层 化学气相沉积法 CVD 膜结构 制备工艺 SiOx膜层
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