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硅氧团簇离子的TOFMS研究
被引量:
1
1
作者
张波
万发荣
《山东陶瓷》
CAS
1999年第2期27-30,共4页
在串级飞行时间质谱仪上,用高能密度的脉冲激光束(波长为532mm)在高真空环境中直接溅射SiO2高纯试样,获得了多种SinOm±二元簇离子,并记录了它们的飞行时间质谱图。通过对数据的详细分析,总结出了硅氧二元团簇...
在串级飞行时间质谱仪上,用高能密度的脉冲激光束(波长为532mm)在高真空环境中直接溅射SiO2高纯试样,获得了多种SinOm±二元簇离子,并记录了它们的飞行时间质谱图。通过对数据的详细分析,总结出了硅氧二元团簇的生长规律。
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关键词
硅氧团簇离子
飞行时间
质谱分析
TOFMS
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职称材料
题名
硅氧团簇离子的TOFMS研究
被引量:
1
1
作者
张波
万发荣
机构
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
北京科技大学材料物理系
出处
《山东陶瓷》
CAS
1999年第2期27-30,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
在串级飞行时间质谱仪上,用高能密度的脉冲激光束(波长为532mm)在高真空环境中直接溅射SiO2高纯试样,获得了多种SinOm±二元簇离子,并记录了它们的飞行时间质谱图。通过对数据的详细分析,总结出了硅氧二元团簇的生长规律。
关键词
硅氧团簇离子
飞行时间
质谱分析
TOFMS
Keywords
Cluster Silicon oxide TOFMS Cluster distribution law
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O657.6 [理学—分析化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅氧团簇离子的TOFMS研究
张波
万发荣
《山东陶瓷》
CAS
1999
1
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职称材料
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