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一维硅氧线的水热法制备及光致发光
1
作者
李小祥
唐元洪
+1 位作者
林良武
李甲林
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期1083-1087,共5页
以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表...
以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理.
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关键词
水热法
硅氧线
PL光谱
生长机理
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职称材料
题名
一维硅氧线的水热法制备及光致发光
1
作者
李小祥
唐元洪
林良武
李甲林
机构
湖南大学材料科学与工程学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期1083-1087,共5页
基金
教育部新世纪优秀人才基金资助项目(批准号:NCET-04-0773)~~
文摘
以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理.
关键词
水热法
硅氧线
PL光谱
生长机理
Keywords
hydrothermal method
SiOx nanowires
PL spectrum
mechanism
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一维硅氧线的水热法制备及光致发光
李小祥
唐元洪
林良武
李甲林
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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