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一维硅氧线的水热法制备及光致发光
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作者 李小祥 唐元洪 +1 位作者 林良武 李甲林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1083-1087,共5页
以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表... 以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理. 展开更多
关键词 水热法 硅氧线 PL光谱 生长机理
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