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Al-SiO_xN_y-Si系统有效功函数差和界面特性的研究
1
作者
李观启
严东军
+2 位作者
黄美浅
曾绍鸿
刘百勇
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1995年第2期53-58,共6页
本文采用氩离子刻蚀法,将SiOxNy膜减薄成不同厚度的样片,并制成Al-SiOxNy-Si系统的MIS电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法,测定有效功函数差和Si-SiOxNy系统的固定电荷密度。结果表...
本文采用氩离子刻蚀法,将SiOxNy膜减薄成不同厚度的样片,并制成Al-SiOxNy-Si系统的MIS电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法,测定有效功函数差和Si-SiOxNy系统的固定电荷密度。结果表明,该系统的平带电压值明显高于Al-SiO2-Si系统的值,原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Si-SiOxNy界面态密度的增大有关。
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关键词
氧化
膜
氮
化
功函数
界面态
硅氮氧化膜
半导体
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职称材料
题名
Al-SiO_xN_y-Si系统有效功函数差和界面特性的研究
1
作者
李观启
严东军
黄美浅
曾绍鸿
刘百勇
机构
华南理工大学应用物理系
出处
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1995年第2期53-58,共6页
文摘
本文采用氩离子刻蚀法,将SiOxNy膜减薄成不同厚度的样片,并制成Al-SiOxNy-Si系统的MIS电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法,测定有效功函数差和Si-SiOxNy系统的固定电荷密度。结果表明,该系统的平带电压值明显高于Al-SiO2-Si系统的值,原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Si-SiOxNy界面态密度的增大有关。
关键词
氧化
膜
氮
化
功函数
界面态
硅氮氧化膜
半导体
Keywords
s: oxide
nitridation
work funtion
interface state
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
Al-SiO_xN_y-Si系统有效功函数差和界面特性的研究
李观启
严东军
黄美浅
曾绍鸿
刘百勇
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1995
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