硅浓度对纤细角毛藻和三角褐指藻生长及叶绿素荧光特性的影响

在温度为23±1℃,盐度为31,光照强度为100μmol/m2.s的条件下,用含有不同硅浓度(0、12、24、48、96和384μmol/L)的培养基对中国海洋大学微藻种质库保存的纤细角毛藻(Chaetoc-eros gracilis)和三角褐指藻(Phaeodactylumtricornutum)进行培养,研究两种硅藻一次性培养过程中,不同硅浓度对其细胞密度、叶绿素含量以及PSⅡ最大光能转化效率(Fv/Fm)的影响。单因子方差分析结果表明,硅浓度对两种硅藻的生长及光合作用均有显著影响(P<0.05)。纤细角毛藻的细胞密度、叶绿素含量和Fv/Fm比值均随着起始硅浓度的增加而增加,在96μmol/L处达到最大值,其后随着起始硅浓度的增加,上述指标反而下降。三角褐指藻的细胞密度、叶绿素含量和Fv/Fm比值均随着起始硅浓度的增加而增加,在384μmol/L处达到最大值。多重比较结果表明,纤细角毛藻和三角褐指藻生长和进行光合作用的最适硅浓度分别为96和384μmol/L。

轧制复合法制备硅浓度梯度高硅钢薄带的织构演变

采用"热轧复合+冷轧减薄+退火"方法成功制备了0.20mm厚的硅浓度梯度高硅钢薄带,并采用SEM和X射线衍射技术对制备过程中组织和织构演变进行了研究。热轧复合板微观组织呈明显层状分布,复合界面为紧密冶金结合且经过83%的大冷轧变形未开裂。热轧和冷轧复合板带中均形成强α和γ织构,再结晶退火后形成强γ织构。冷轧和退火织构沿板厚呈显著的梯度分布特征,其主要来自于复合界面两侧硅浓度和初始热轧织构的差异性以及冷变形的不均匀性。

不同硅浓度对粳稻形态和光合生理机制的影响

[目的]为了探究不同硅浓度对粳稻形态和光合生理机制的影响。[方法]用不同硅浓度(0、30、80、130、180 mg/L硅酸钠溶液)处理粳稻幼苗。采用钼蓝比色法测定不同硅浓度处理组水稻根、茎、叶的硅含量,使用测量工具测量不同硅浓度处理组水稻株高、根长、根系数目,采用丙酮提取法测定不同硅浓度处理组水稻叶、茎的叶绿素a、b的含量以及叶绿素a/b值。[结果]粳稻营养器官中硅含量从高到低依次是茎>叶>根;当硅浓度为80 mg/L时,粳稻株高最矮;当硅浓度为30 mg/L时,粳稻根长最短,根系数最少;当硅浓度为30mg/L时,叶绿素a、b的含量均最高,且叶绿素a/b值在硅浓度为80 mg/L时达到最大值。[结论]适当的硅浓度可提高粳稻的抗倒伏性以及粳稻的光合作用效率,进而提高粳稻产量。

环境条件和外源硅浓度对黄瓜硅吸收分配的影响

【目的】研究不同环境条件和根际硅水平对黄瓜硅主动和被动吸收过程的影响。【方法】以‘新泰密刺’黄瓜为试材,在人工气候室内采用水培法,设置4种环境条件:1) T1,昼/夜温度22℃/12℃、相对湿度85%/95%、光照强度300μmol/(m^2·s);2) T2,昼/夜温度22℃/12℃、相对湿度85%/95%,光照强度600μmol/(m^2·s);3) T3,昼/夜温度28℃/18℃,相对湿度55%/65%、光照强度300μmol/(m^2·s);4) T4,昼/夜温度28℃/18℃、相对湿度55%/65%、光照强度600μmol/(m^2·s)。硅吸收动力学试验营养液设置为10个Si处理浓度,依次为0、0.085、0.17、0.34、0.51、0.68、0.85、1.02、1.36、1.70 mmol/L,硅吸收分配试验设置3个硅浓度为0.085、0.17、1.7 mmol/L。【结果】不同环境条件下黄瓜对硅的吸收速率及器官中硅含量均为T4> T3> T2> T1处理;低外源硅浓度(0.085和0.17 mmol/L)下,黄瓜硅吸收在T1、T2、T3处理环境中以主动过程为主,在T4处理环境中以被动过程为主;高外源硅浓度(1.7 mmol/L)下,4种环境条件下的硅吸收均以被动过程为主;相同温度条件,强光下被动吸收的占比大于弱光,相同光照条件,高温下被动吸收的占比大于低温;相同环境条件下,随着外源硅浓度的增加,黄瓜对硅的被动吸收量和总吸收量均呈上升趋势,且被动吸收的占比增加。【结论】环境条件和外源硅水平影响黄瓜对硅的主动和被动吸收过程,高温、强光及高外源硅浓度提高黄瓜被动吸收硅的比例。

极小曲丝藻生长与光合活性对硅浓度的响应

为探究南水北调中线干渠硅藻快速增殖与硅浓度间的内在关系,选取干渠全年优势种极小曲丝藻(Achnanthidium minutissimum)为研究对象,研究不同初始硅浓度(0、2、4、6和8 mg·L^(−1))对极小曲丝藻生长和光合生理特性的影响。结果显示,不同浓度硅对极小曲丝藻比生长速率具有显著影响(P<0.05)。硅浓度0 mg·L^(−1)时,细胞密度、比生长速率、叶绿素a浓度、类胡萝卜素浓度和光合系统Ⅱ(PSⅡ)最大光化学效率(Fv/Fm)相对于添加硅的试验组,均显著降低(P<0.05),未出现明显的叶绿素荧光诱导曲线(OJIP)特征,检测不到光合放氧。随硅浓度升高(2®8 mg·L^(−1)),藻细胞密度、比生长速率和最大现存生物量均明显上升;硅浓度2 mg·L^(−1)处理组的细胞叶绿素a和类胡萝卜素浓度均显著低于另外3个硅处理组(P<0.05)。硅浓度4 mg·L^(−1)、6 mg·L^(−1)和8 mg·L^(−1)处理组的细胞叶绿素a和类胡萝卜素浓度、F_(v)/F_(m)和光合放氧速率均无显著差异。研究表明硅是硅藻快速增殖的限制因素;中线干渠内硅浓度较高(约5 mg·L^(−1)),满足硅藻大量增殖需要,是导致硅藻快速增殖、占据优势的重要因子。

水稻品种耐盐性对其体内水分和硅浓度的影响

日本研究人员对不同耐盐性的水稻品种进行了试验研究。

碱与储层矿物反应液中硅、铝浓度测定及表面活性剂和聚合物的影响

介绍了用钼酸铵、铬天青分光光度法分别测定碱与储层矿物反应液中硅、铝元素浓度所用的试剂、操作程序及标准工作曲线。使用硅和铝标准溶液建立的测硅和测铝标准曲线的线性范围分别为0～4μg/mL和0～0.8μg/mL。实验用碱与储层矿物反应液为0.5%～5%NaOH溶液、0.5%～5%Na2CO3溶液分别与石英、斜长石、高岭石、伊利石、蒙脱石等反应后的混合液。显色后的测硅溶液可以稀释后测吸光度而显色后的测铝溶液则不能稀释。浓度为50μg/mL的HPAM对铝浓度测定无干扰;10μg/mL的聚合物HPAM对硅浓度测定,10μg/mL的表面活性剂OP 10对硅、铝浓度测定有轻微影响但可以忽略(使吸光度略增大)。图6表2参5。

硅浓度对筒柱藻B169生长、叶绿素荧光参数、总脂含量及脂肪酸组成的影响

本文以底栖硅藻筒柱藻(Cylindrotheca sp.)为实验材料,研究了一次性培养过程中,不同硅浓度即:0mg/L(Si0)、8.35mg/L(Si1)、33.4mg/L(Si2)、133.6mg/L(Si3)、534.4mg/L(Si4)和1068.8mg/L(Si5)对藻细胞密度、叶绿素荧光参数、叶绿素含量、总脂含量及脂肪酸组成的影响。结果表明:第5~9d,筒柱藻的细胞密度随硅浓度的增加而增加,硅浓度较高的Si3、Si4和Si5处理组的细胞密度显著高于硅浓度较低的Si0、Si1和Si2处理组的细胞密度。第1~9d,Si5处理组的荧光参数F_v/F_m(PSII的最大光能转换效率)和F_v/F_o(PSII的潜在活性)均显著低于其它处理组。第3~6d,Si3处理组的上述荧光参数均显著高于其它处理组。第1~7d,Si4和Si5处理组的荧光参数φPSII(PSII的实际光能转化效率)和rETR(相对电子传递效率)均显著低于其它处理组,其中Si5处理组的上述荧光参数最低,其次是Si4处理组。筒柱藻的叶绿素含量随着硅浓度的增加而增加,到Si3处理组叶绿素含量达最高值,之后叶绿素含量下降,Si3处理组的叶绿素含量最高,Si0处理组的叶绿素含量最低。筒柱藻的总脂含量随硅浓度的增加而降低,Si0处理组的总脂含量最高,Si5处理组的总脂含量最低。筒柱藻的主要脂肪酸是1 4:0(5.1 5~8.7l%)、16:0(22.40~42.27%)、1 6:1n-7(3l.40~33.12%)、16:3n-4(1.89~8.45%)、20:4n-6(5.95~11.39%)和20:5n-3(EPA)(3.47~8.07%)。饱和脂肪酸含量随着硅浓度的增加而降低,多不饱和脂肪酸含量随着硅浓度的增加而增加,硅浓度对单不饱和脂肪酸的影响差异不显著。经济价值较大的20:4n-6和20:5n-3含量均在Si3和Si4处理组达到最高值。

硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响

采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响。研究结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率、平均晶粒尺寸、晶化率和电导率均呈现相似的变化规律,而谱中出现的拐点由硅烷浓度决定。该变化规律可通过相应的薄膜生长的微观理论得到合理的解释。

高浓度聚硅氯化铝(PASC)中铝的水解-聚合特性研究

以铝酸钠为碱化剂,采用缓慢滴碱法合成了高浓度(2.0mol.L-1左右)具有不同Si/Al摩尔比的聚硅氯化铝复合混凝剂(PASC).采用Al-Ferron逐时络合比色法、碱式滴定法和红外光谱分析,研究了铝的形态分布、水解-聚合历程及铝硅间的相互作用.实验结果表明,Al-Ferron络合动力学符合At=A0+A1[1-exp(-kb1t]+A2[-exp(-kb2t)];在PASC中,硅酸钠和铝的水解产物间存在着相互作用,这种作用对铝的水解-聚合历程和形态分布有不同程度的影响.用铝酸钠制备PASC时有利于Al的形态由低聚物向中、高聚物转化,且随着PASC中Si/Al比的增加生成多核羟铝配合物的能力逐渐增强.

新型高浓度聚硅氯化铝水解形态与絮凝基础理论研究

以铝酸钠为碱化剂,采用缓慢滴碱法合成了高浓度(2.0mol·L-1左右)具有不同Si/Al摩尔比γ(Si/Al)的聚硫氯化铝,研究了铝的水解聚合形态和除浊效果.AlFerron和AlNMR分析结果表明,随着γ(Si/Al)的增加,Al13/Alb形态的含量逐渐减小,Al单体和Al高聚体形态含量逐渐增大.烧杯实验结果表明PASC浓度高、最佳投加量低,絮凝效果好,pH适用范围广,可显著降低处理成本.Al水解形态与絮凝效果的研究表明以铝酸钠为碱化剂制备的高浓度絮凝剂的絮凝效果不宜用Al13/Alb含量高低来表征.

硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响

采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同。另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移。

硅对紫花苜蓿生物学特性的影响

硅是植物生长发育的有益元素,目前关于硅对植物生长发育影响的研究多集中于禾本科和部分瓜果蔬菜,对豆科植物的研究仅限于大豆和豇豆,而对多年生豆科牧草的研究很少.通过盆栽试验观测了硅对豆科牧草紫花苜蓿生物学特性的影响.结果表明,紫花苜蓿体内硅的含量随着施入硅量的增加而增加,但在0.100 g/kg水平后紫花苜蓿吸收硅趋向于饱和.紫花苜蓿根系内的硅含量大于茎叶内含量;硅对紫花苜蓿叶面积的影响呈单峰型分布,0.05 g/kg的硅处理增加效果最为明显;硅对紫花苜蓿分枝数和株高的影响与测定时期有关,分枝数在营养期差异不明显,在生殖期施硅显著增加分枝数（p＜0.05）,但施硅在营养生长阶段显著增加株高（p＜0.05）,而生殖期差异不明显;施硅能够显著增加紫花苜蓿草产量和根系生物量,增幅分别为20%～60%和35%.中部叶和上部叶与茎之间的夹角随着施硅量的增加而逐渐减少,但减少的幅度随着施硅量的增加而逐渐降低,而下部叶与茎之间的夹角变化较为复杂,随着施硅量的增加,先减小后增加,再减小.试验结果表明,施入适量的硅有利于紫花苜蓿的生长和发育.

原位晶化NaY分子筛制备过程中含硅废水的处理工艺研究

以阳离子表面活性剂YC和非离子表面活性剂YN为絮凝剂,采用酸化硫酸铝中和法处理原位晶化制备NaY分子筛工艺中产生的含硅洗涤废水,考察了废水硅浓度,终点pH值,成胶温度和絮凝剂用量对滤液处理效果的影响。结果表明,在室温下,废水硅浓度为20 g/L,终点pH值为7.0,絮凝剂YC,YN用量分别为10×10-65,0×10-6的优化条件下,滤液硅浓度为0.42 g/L,透光率为97.1%。

硅灰调控混凝土力学性能的关键界面参数研究

研究了硅灰分别掺加到混凝土基相和界面中对混凝土界面特征及力学性能的影响,并通过界面调控对混凝土力学性能进行优化,提出了调控混凝土力学性能的关键界面参数——界面区域硅灰质量浓度G.结果表明:界面中的硅灰在提高混凝土强度的同时,降低了混凝土脆性,在掺量较低时对混凝土强度的促进作用远大于基相中的硅灰;参数G能够统一基相和界面中的硅灰作用效果,建立硅灰界面强度的关联关系,具有重要的应用价值.

底栅微晶硅薄膜晶体管

对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.

优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。

柔性衬底微晶硅薄膜太阳电池研究

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了系列本征微晶硅薄膜材料和nip单结微晶硅太阳电池,研究了硅烷浓度、衬底温度和辉光功率等沉积参数与薄膜材料性能、薄膜电池性能三者之间的关系。拉曼光谱和器件测试结果表明:随硅烷浓度的增加,本征层晶化率逐渐减小,直至转变为非晶硅;沉积温度高于200℃时,电池性能严重恶化;随等离子辉光功率增加,材料晶化率保持不变,而电池开路电压逐渐增大,短波光谱响应逐渐增强。在此基础上,优化了单结微晶硅电池沉积参数,得到效率为6.48%(AMO,25℃)的单结微晶硅薄膜太阳电池;并将其应用到非晶硅/微晶硅叠层电池中,在不锈钢柔性衬底上得到效率为9.28%(AMO,25℃)的叠层电池。

用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性。作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92%的太阳电池。

HWCVD在玻璃衬底上沉积硅薄膜的研究

采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜,采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性,较为系统地研究了硅烷浓度、衬底到热丝的距离对硅薄膜生长过程及各种性质的影响,结果表明,较高的衬底温度及较低的硅烷浓度有利于薄膜的结晶。