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1μm宽硅深槽刻蚀技术
被引量:
3
1
作者
王清平
郭林
+2 位作者
刘兴凤
蔡永才
黄正学
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第1期35-39,共5页
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
关键词
反应离子刻蚀
硅深槽隔离
微电子器件
工艺
下载PDF
职称材料
题名
1μm宽硅深槽刻蚀技术
被引量:
3
1
作者
王清平
郭林
刘兴凤
蔡永才
黄正学
机构
电子工业部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第1期35-39,共5页
文摘
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
关键词
反应离子刻蚀
硅深槽隔离
微电子器件
工艺
Keywords
Semiconductor process,Reactive ion etching,Si-trench isolation
分类号
TN405.983 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1μm宽硅深槽刻蚀技术
王清平
郭林
刘兴凤
蔡永才
黄正学
《微电子学》
CAS
CSCD
1996
3
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