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1μm宽硅深槽刻蚀技术 被引量:3
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作者 王清平 郭林 +2 位作者 刘兴凤 蔡永才 黄正学 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第1期35-39,共5页
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
关键词 反应离子刻蚀 硅深槽隔离 微电子器件 工艺
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