容性耦合硅烷等离子体尘埃颗粒空间分布的二维流体模拟

基于自主研发的二维流体尘埃模型,研究了射频容性耦合硅烷等离子体放电中不同腔室结构对尘埃颗粒密度空间分布的影响.模拟发现,有别于一维模型,径向电场和作用在尘埃颗粒上的离子拖拽力径向分量是导致尘埃颗粒密度分布径向不均匀的主要因素,使其在极板边缘处呈现两个局部峰值,其中一个峰值表明尘埃颗粒有可能会克服电场力的支撑更接近极板.在极板半径较小或极板间距较小的情况下,径向离子拖拽力的作用增强,使尘埃颗粒更易于在极板边缘处和腔室侧壁附近聚集,出现环状尘埃颗粒分布带.在放电极板有介质材料包裹的情况下,尘埃颗粒密度径向分布的均匀性得到改善.最后,还模拟了单个尘埃颗粒在极板边缘处的涡旋运动规律.

射频辉光放电硅烷等离子体的光发射谱研究

通过对RF-PECVD技术沉积氢化非晶/微晶硅(a-Si:H/μc-Si:H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究了不同的等离子体工艺条件下,特征发光峰强度(ISiH*、IHα)的变化规律。结果表明:随着SiH4浓度增大,IsiH*单调增大且在不同浓度范围内变化快慢不同,和IHβ峰表现为先增后减的变化,最大值位于3～5%的SiH4浓度之间;工作气压的增大,各特征和IHβ而IHα发光峰均呈现出先增后减的变化,但最大值对应的工作气压点有所不同;增大等离子体功率,所有的特征发光峰单调增加,但在不同的功率区间内变化快慢存在明显差异;气体流量在40～75sccm范围内变化时对特征发光峰的影响最为显著,更低流量时变化很小,更高流量则趋于饱和;衬底温度不仅影响生长表面的发应,对SiH4分解机制的影响不容忽视。

GPTMS涂层与等离子体处理复合改性聚合物微流控通道

为了提升聚合物材料的表面改性效果,采用γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)涂层与等离子体处理相结合的方法,对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯和聚碳酸酯5种常见聚合物材料的表面改性效果进行了研究。通过分析表面润湿性(接触角)、化学成分、粗糙度以及微流控通道中的流体流动性能及其时效性,探讨了该改性方法的机制和效果。结果表明,GPTMS涂层与等离子体处理(GP-Plasma)复合改性相较于等离子体处理能够显著提高这5种聚合物材料的表面亲水性和时效性,复合改性后聚合物材料表面接触角可降至接近0°,并在-15℃储存28 d后仍保持接触角低于20°。X射线光电子能谱和傅里叶变换红外光谱分析表明,复合改性后PMMA材料的O/C原子比提升了约140%,并形成了Si—O—Si键。原子力显微镜结果表明GP-Plasma复合改性后PMMA材料的表面粗糙度相较于等离子体处理提升95%,进一步提升了表面润湿性。在微流控通道流动测试中,复合改性后PMMA样品的流体流动时间平均缩短64%,并实现了稳定的液体流动,显示出该复合改性技术在实际应用中的潜力。

SiH自由基A^2Δ—X^2∏跃迁光谱研究

本工作用OMA系统和高分辨单色仪同时测量了硅烷激光等离子体和放电等离子体的发光谱以及两种等离子体条件下的SiH A^2△——X^2Ⅱ跃迁0——0带光谱。讨论了SiH 0——0带光谱在两种等离子体内的区别。

光谱分析、光谱测量

O433.1 2004010074 射频辉光放电硅烷等离子体的光发射谱研究=Optical emission spectroscopy invesugation on the RF-generated SiH4plasma[刊,中]/杨恢东（南开大学光电所,天津（300071））,吴春亚…∥光电子·激光.—2003,14（4）—375-379 通过对RF-PECVD技术沉积氢化非晶/微晶硅（a-Si:H/μc-Si:H）薄膜沉积过程中硅烷（SiH4）等离子体的光发射谱（OES）原位测量。

Feature of Polysilane (UV Light Sensitive Materials)Treated by O_2-plasma

From the analysis of infrared (IR) transmission spectrum, it was showed that the SiO x films were produced when polymethyl phenethyl silane (PMPES) was treated with O 2 plasma, where the x ranged from 1.5 to 2. This film has a positive flat band voltage on the curve of high frequency C V chart, its value is dependent on the condition of O 2 plasma treatment and the thickness of PMPES film.