外延硅片表面时间雾的形成及其机理

外延片生产中有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露--段时间后产生雾状宏观缺陷(即所谓的时间雾)的不利情形,然而关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件,发现外延硅片取出之前生长腔和传递腔之间的压力差是时间雾形成与否的关键因素。分析认为:取片之前,当生长腔相对传递腔为正压时,外延尾气的返流使得外延硅片表面吸附了尾气中的SiCl_(2)及其团簇(SiCl_(2))_(n),进一步吸附空气中的水分并与之发生化学反应,这是时间雾形成的内因。采用扫描电子显微镜(SEM)、X光能量色散谱(EDS)和全反射X光荧光光谱(TXRF)等手段,对时间雾相关的颗粒形貌和组分进行表征。结果表明:时间雾相关的颗粒呈现为规则多面体和球形两种典型形貌,前者与NH_(4)Cl小晶体有关,而后者与有机物有关。分析认为:洁净室空气中的含NH_(4)^(+)无机组分以及异丙醇(IPA)等有机组分是形成时间雾的外因。生产中避免外延硅片表面时间雾的根本措施在于,在外延炉腔中取片之前必须避免外延工艺的尾气不会返流至生长腔。

半导体硅片生产形势的分析

半导体器件支撑着庞大的信息产业,而半导体器件93%以上是硅器件,它们以硅片为基础材料。本文将叙述半导体器件和硅片在世界与国内的生产状况和需求量,并对我国硅材料企业满足市场能力进行分析。2001年世界半导体器件生产低落,

硅外延层电阻率测量值一致性研究

外延层电阻车是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率，以满足器件研制的需要，是检测人员所关注的一个重要课题。对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较，指出了其各自的优缺点，讨论了测量中存在的问题．针对这些问题，采取了相应的措施，试验和分析结果表明，几种测试方法的结果获得了相当好的一致性，测量相对误差可控制在５％以内，能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。

电子级三氯氢硅特种气体应用研究

电子级三氯氢硅是半导体行业不可或缺的重要电子特种气体原材料,国内目前主要依赖进口。随着我国集成电路行业快速增长,对电子级三氯氢硅需求呈日益增长态势。实现电子级三氯氢硅特种气体的国产化,对我国集成电路行业发展意义重大。本文重点分析电子级三氯氢硅特种气体在芯片制造过程的作用,接着分析生产提纯技术、充装要点以及质量控制要求。

杨德仁院士

1主要经历杨德仁, 1964年出生, 1985年本科毕业于浙江大学材料系, 1991年在浙江大学获半导体材料博士学位, 1993年博士后流动站出站后留在浙江大学材料系(硅材料国家重点实验室)工作, 1997年被浙江大学特批为教授,期间曾先后在日本、德国和瑞典工作, 2017年当选中国科学院院士.