硅片氧化过程及其对硅中杂质分布影响的分析

利用带活动边界的“D＇Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常见的杂质初始分布的计算结果均与实验相符.

快速热退火对SPV法测试氧化硅片中铁的影响

研究了快速热退火(RTA)对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响。结果表明,氧化硅片在1100℃的条件下RTA 3min后,SPV测出的铁含量大幅度地减小。由于RTA的均匀化作用,氧化硅片表层的铁浓度显著低于氧化刚结束时硅片表层的铁浓度。根据SPV测试理论,从硅片表面到少数载流子产生处这一区域的铁浓度最终决定了铁含量的测试结果,即硅片表层的铁含量代表了整个硅片的铁含量。因此,氧化硅片经RTA处理后,SPV测出的铁含量大幅度地减小。