期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于统计反演的硅片微区电阻率测试方法
1
作者 边泽鹏 刘新福 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期347-352,共6页
提出了一种基于统计反演重建电阻率分布图像的硅片电阻率测试方法,该方法采用马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法求解电阻抗成像技术(EIT)的逆问题,可以避免确定性方法中迭代误差和分辨率低的问题。建立了一种基于MCMC方法的电阻率分布图像... 提出了一种基于统计反演重建电阻率分布图像的硅片电阻率测试方法,该方法采用马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法求解电阻抗成像技术(EIT)的逆问题,可以避免确定性方法中迭代误差和分辨率低的问题。建立了一种基于MCMC方法的电阻率分布图像重建算法,搭建了电压数据采集系统以测量边缘电压。对比MCMC算法重建的硅片微区电阻率分布图像与4D-333A测试仪的测量结果,二者的电阻率分布情况呈现出相同的分布趋势。将采用MCMC算法得出的256个单元的数值与采用其他重建方法得出的数值、真实的电阻率进行对比,发现MCMC算法得到的数值与真实数值最接近的单元数最多,为88个,比其他重建方法更为准确。 展开更多
关键词 硅片电阻率 电阻抗成像技术(EIT) 统计反演 贝叶斯方法 马尔科夫链蒙特卡洛(MCMC)方法
下载PDF
无线通讯用硅基微小天线的设计与制作
2
作者 郭兴龙 蔡描 +2 位作者 刘蕾 游淑珍 赖宗声 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期361-365,共5页
采用微电子工艺在高电阻率硅片上设计和制备了一种新颖紧凑共平面波导馈电天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,经过实验测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dB,谐振频率约为3GHz,此天线有利于天线集... 采用微电子工艺在高电阻率硅片上设计和制备了一种新颖紧凑共平面波导馈电天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,经过实验测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dB,谐振频率约为3GHz,此天线有利于天线集成和与CMOS工艺等的兼容,并且对于无人驾驶飞机、卫星等飞行器的雷达和通讯等天线系统的设计具有参考价值。 展开更多
关键词 微小天线 电阻率硅片 集成电路工艺
下载PDF
无线通讯用硅基微小天线
3
作者 郭兴龙 金妍 +2 位作者 刘蕾 欧阳炜霞 赖宗声 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2008年第8期1348-1352,共5页
采用微电子加工工艺在高电阻率硅片上设计和制备了微小天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dBi,谐振频率约为3GHz,能够满足通讯系统中天线系统的要求,并且文章对... 采用微电子加工工艺在高电阻率硅片上设计和制备了微小天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dBi,谐振频率约为3GHz,能够满足通讯系统中天线系统的要求,并且文章对天线的制作工艺进行了详细的介绍,此天线有利于天线集成和与CMOS工艺等的兼容. 展开更多
关键词 微小天线 电阻率硅片 IC工艺
原文传递
Controlled Synthesis and Growth of Perfect Platinum Nanocubes Using a Pair of Low-Resistivity Fastened Silicon Wafers and Their Electrocatalytic Properties 被引量:1
4
作者 Jitendra N. Tiwari Rajanish N. Tiwari Kunlin Lin 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第6期541-549,共9页
Perfect platinum (Pt) nanocubes with high density have been synthesized by controlled reduction of hexachloroplatinic acid in the presence of H2SO4 and HCl, employing a pair of low-resistivity fastened silicon (FS... Perfect platinum (Pt) nanocubes with high density have been synthesized by controlled reduction of hexachloroplatinic acid in the presence of H2SO4 and HCl, employing a pair of low-resistivity fastened silicon (FS) wafers at room temperature. The presence of the additive charges (induced by prior etching of the silicon surface with HF to remove any SiO2 layer) between the interfaces of the FS surface results in a high charge density and facilitates fast deposition of Pt nanoparticles via electroless plating. The charge density, stirring time, and homogeneity of the aqueous solution influenced the geometrical shapes of the Pt nanoparticles. The parameters were finely tuned in order to control the nucleation and growth rates and obtain perfect Pt nanocubes. The perfect Pt nanocubes were single crystalline with exposed {100} facets. Per equivalent Pt surface areas, the perfect Pt nanocubes showed enhanced catalytic activity relative to truncated Pt nanocubes or spherical Pt nanoparticles for the electrooxidation of liquid feed fuels such as methanol and ethanol. Moreover, there a strong correlation was observed between the optical, electrical, thermal, magnetic, and catalytic properties of the perfect Pt nanocubes which should lead to a variety of technological applications of these materials. 展开更多
关键词 Fastened silicon wafers charge density Pt nanocubes catalytic activity liquid feed fuel cells
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部