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国产硅片锥形缺陷的改善方法
1
作者
陆振杰
李杰
郎玉红
《上海师范大学学报(自然科学版)》
2020年第4期483-486,共4页
针对某国产硅片在验证过程中的锥形缺陷,通过优化拉晶和制作工艺中的等待时间管控,减少硅片的缺陷,提升硅片的质量.
关键词
国产
硅片
锥形缺陷
硅片磨边
等待时间
下载PDF
职称材料
题名
国产硅片锥形缺陷的改善方法
1
作者
陆振杰
李杰
郎玉红
机构
上海华力微电子有限公司扩散注入科
出处
《上海师范大学学报(自然科学版)》
2020年第4期483-486,共4页
文摘
针对某国产硅片在验证过程中的锥形缺陷,通过优化拉晶和制作工艺中的等待时间管控,减少硅片的缺陷,提升硅片的质量.
关键词
国产
硅片
锥形缺陷
硅片磨边
等待时间
Keywords
domestic silicon wafer
cone defect
silicon wafer edging
waiting time
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
国产硅片锥形缺陷的改善方法
陆振杰
李杰
郎玉红
《上海师范大学学报(自然科学版)》
2020
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