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先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
1
作者
赵毅
万星拱
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期539-543,共5页
可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅...
可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅极氧化膜的硅片级可靠性快速评价方法以及失效机理,并给出了0.18μm CMOS工艺硅片级可靠性评价的最新研究亮点。
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关键词
CMOS工艺
栅极氧化膜
硅片级
可靠性
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职称材料
以废弃电子级硅片回收高纯硅的工艺研究
被引量:
1
2
作者
徐华毕
梁宗存
+2 位作者
李青松
李仲吉
沈辉
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期560-563,共4页
讨论了来源于半导体器件行业的废弃电子级硅片的回收处理工艺。首先对不同样品进行分类,然后对硅片表面金属杂质层进行喷砂或化学腐蚀处理;并对样品进行了扫描电镜(SEM)、电学性能和痕量杂质元素方面的测试和分析。结果表明使用该方法...
讨论了来源于半导体器件行业的废弃电子级硅片的回收处理工艺。首先对不同样品进行分类,然后对硅片表面金属杂质层进行喷砂或化学腐蚀处理;并对样品进行了扫描电镜(SEM)、电学性能和痕量杂质元素方面的测试和分析。结果表明使用该方法回收处理废弃硅片切实可行,并能有效地节约利用高纯硅材料,对当前供不应求的太阳能级硅材料起到一定的补充作用。
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关键词
废弃电子
级
硅片
回收
喷砂
化学腐蚀
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职称材料
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究
被引量:
1
3
作者
龚洪勇
周浪
+5 位作者
黄海宾
向昱任
汪已琳
张东华
高江
崔冶青
《太阳能》
2013年第1期32-34,共3页
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅...
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。
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关键词
氢化非晶硅
PECVD
钝化
太阳能
级
n型
硅片
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职称材料
多腔室溅射台测量硅片薄膜吸气能力的方法
4
作者
王友良
闻永祥
+1 位作者
方佼
季锋
《中国集成电路》
2015年第8期59-64,共6页
本文通过对多腔室高真空溅射台进行改造,实现了对硅片级薄膜吸气剂的吸气能力进行定量评估。通过用毛细管将压力调整腔与测试腔体相连以进行压力差测试,适用于评估吸气能力较强的硅片级薄膜;该装置也可以用测试漏率法来评估吸气能力较...
本文通过对多腔室高真空溅射台进行改造,实现了对硅片级薄膜吸气剂的吸气能力进行定量评估。通过用毛细管将压力调整腔与测试腔体相连以进行压力差测试,适用于评估吸气能力较强的硅片级薄膜;该装置也可以用测试漏率法来评估吸气能力较弱的硅片级薄膜。本文为硅片级吸气剂吸气性能的测试和评价提供了一个工业级平台,为硅片制造厂吸气剂的工艺开发、性能研究提供了有效的方法。
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关键词
硅片级
吸气性能
多腔室
毛细管
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职称材料
题名
先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
1
作者
赵毅
万星拱
机构
东京大学材料系
上海集成电路研发中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期539-543,共5页
文摘
可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅极氧化膜的硅片级可靠性快速评价方法以及失效机理,并给出了0.18μm CMOS工艺硅片级可靠性评价的最新研究亮点。
关键词
CMOS工艺
栅极氧化膜
硅片级
可靠性
Keywords
CMOS process
gate oxide
wafer level
reliability
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
以废弃电子级硅片回收高纯硅的工艺研究
被引量:
1
2
作者
徐华毕
梁宗存
李青松
李仲吉
沈辉
机构
中国科学院广州能源研究所
中山大学太阳能系统研究所
深圳先行电子有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期560-563,共4页
文摘
讨论了来源于半导体器件行业的废弃电子级硅片的回收处理工艺。首先对不同样品进行分类,然后对硅片表面金属杂质层进行喷砂或化学腐蚀处理;并对样品进行了扫描电镜(SEM)、电学性能和痕量杂质元素方面的测试和分析。结果表明使用该方法回收处理废弃硅片切实可行,并能有效地节约利用高纯硅材料,对当前供不应求的太阳能级硅材料起到一定的补充作用。
关键词
废弃电子
级
硅片
回收
喷砂
化学腐蚀
Keywords
electronic grade silicon scraps
recycle
sand blasting
acid-etching
分类号
TK511.4 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究
被引量:
1
3
作者
龚洪勇
周浪
黄海宾
向昱任
汪已琳
张东华
高江
崔冶青
机构
南昌大学太阳能光伏学院&材料科学与工程学院
出处
《太阳能》
2013年第1期32-34,共3页
文摘
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。
关键词
氢化非晶硅
PECVD
钝化
太阳能
级
n型
硅片
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多腔室溅射台测量硅片薄膜吸气能力的方法
4
作者
王友良
闻永祥
方佼
季锋
机构
杭州士兰集成电路有限公司
出处
《中国集成电路》
2015年第8期59-64,共6页
文摘
本文通过对多腔室高真空溅射台进行改造,实现了对硅片级薄膜吸气剂的吸气能力进行定量评估。通过用毛细管将压力调整腔与测试腔体相连以进行压力差测试,适用于评估吸气能力较强的硅片级薄膜;该装置也可以用测试漏率法来评估吸气能力较弱的硅片级薄膜。本文为硅片级吸气剂吸气性能的测试和评价提供了一个工业级平台,为硅片制造厂吸气剂的工艺开发、性能研究提供了有效的方法。
关键词
硅片级
吸气性能
多腔室
毛细管
Keywords
Wafer Level
Sorption Performance
Multi-chambers
Capillary
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
赵毅
万星拱
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
2
以废弃电子级硅片回收高纯硅的工艺研究
徐华毕
梁宗存
李青松
李仲吉
沈辉
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
3
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究
龚洪勇
周浪
黄海宾
向昱任
汪已琳
张东华
高江
崔冶青
《太阳能》
2013
1
下载PDF
职称材料
4
多腔室溅射台测量硅片薄膜吸气能力的方法
王友良
闻永祥
方佼
季锋
《中国集成电路》
2015
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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