先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价

可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题。随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对工艺进行监控。本文介绍了CMOS器件栅极氧化膜的硅片级可靠性快速评价方法以及失效机理,并给出了0.18μm CMOS工艺硅片级可靠性评价的最新研究亮点。

以废弃电子级硅片回收高纯硅的工艺研究

讨论了来源于半导体器件行业的废弃电子级硅片的回收处理工艺。首先对不同样品进行分类,然后对硅片表面金属杂质层进行喷砂或化学腐蚀处理;并对样品进行了扫描电镜(SEM)、电学性能和痕量杂质元素方面的测试和分析。结果表明使用该方法回收处理废弃硅片切实可行,并能有效地节约利用高纯硅材料,对当前供不应求的太阳能级硅材料起到一定的补充作用。

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。

多腔室溅射台测量硅片薄膜吸气能力的方法

本文通过对多腔室高真空溅射台进行改造,实现了对硅片级薄膜吸气剂的吸气能力进行定量评估。通过用毛细管将压力调整腔与测试腔体相连以进行压力差测试,适用于评估吸气能力较强的硅片级薄膜;该装置也可以用测试漏率法来评估吸气能力较弱的硅片级薄膜。本文为硅片级吸气剂吸气性能的测试和评价提供了一个工业级平台,为硅片制造厂吸气剂的工艺开发、性能研究提供了有效的方法。