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大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展
被引量:
26
1
作者
康仁科
郭东明
+1 位作者
霍风伟
金洙吉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期33-38,51,共7页
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减...
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。
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关键词
图形
硅片
磨削技术
IC封装
硅片背面
减薄技术
加工原理
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职称材料
硅片背面铜污染的清洗
被引量:
4
2
作者
陈波
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期14-16,87,共4页
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程...
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。
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关键词
铜污染
湿法
单片清洗
硅片背面
刻蚀
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职称材料
浅谈硅片背面铜污染的清洗
被引量:
1
3
作者
刘永刚
《科技风》
2015年第15期128-128,共1页
在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜。目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的。本文就是针对这三种清洗液...
在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜。目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的。本文就是针对这三种清洗液展开讨论,浅谈清洗液对于硅片背面Cu污染的清洗。
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关键词
铜污染
单片清洗
硅片背面
刻蚀
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职称材料
造孔剂含量对树脂结合剂硅片减薄砂轮磨削性能的影响
被引量:
1
4
作者
惠珍
赵延军
+5 位作者
张高亮
赵炯
丁玉龙
叶腾飞
孙冠男
熊华军
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2019年第4期62-65,共4页
为改善硅片背面减薄效果,在树脂结合剂硅片减薄砂轮里添加造孔剂.通过体积密度测试、扫描电镜观察和磨削实验,研究造孔剂含量对树脂结合剂砂轮结构和磨削性能的影响.结果表明:随着造孔剂体积分数增加、投料比降低,砂轮内部孔隙率增大;...
为改善硅片背面减薄效果,在树脂结合剂硅片减薄砂轮里添加造孔剂.通过体积密度测试、扫描电镜观察和磨削实验,研究造孔剂含量对树脂结合剂砂轮结构和磨削性能的影响.结果表明:随着造孔剂体积分数增加、投料比降低,砂轮内部孔隙率增大;且磨削实验证明造孔剂可以提高硅片的表面质量.当造孔剂添加体积分数在10%、体积密度投料比控制在75%时,树脂结合剂硅片减薄砂轮在磨削过程中具有较好的综合磨削性能,磨削出来的硅片表面粗糙度R a、R z、R y值波动范围小,与其他条件下的砂轮磨削的硅片相比,表面一致性好.
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关键词
硅片背面
减薄砂轮
气孔率
磨纹
哈量粗糙度值
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职称材料
题名
大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展
被引量:
26
1
作者
康仁科
郭东明
霍风伟
金洙吉
机构
大连理工大学机械工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期33-38,51,共7页
基金
国家自然科学基金重大项目(50390061)
国家"863计划"项目(2002AA421230)资助
文摘
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。
关键词
图形
硅片
磨削技术
IC封装
硅片背面
减薄技术
加工原理
Keywords
wafer
back thinning
grinding
IC package
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅片背面铜污染的清洗
被引量:
4
2
作者
陈波
机构
沈阳芯源微电子设备有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期14-16,87,共4页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02008)
科技部国际合作计划(2010DBF10660)
沈阳市科技专项资助项目(Z201001008)
文摘
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。
关键词
铜污染
湿法
单片清洗
硅片背面
刻蚀
Keywords
Cu contamination
wet process
single wafer clean
Si wafer backside
etching
分类号
TN305.99 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
浅谈硅片背面铜污染的清洗
被引量:
1
3
作者
刘永刚
机构
河北普兴电子科技股份有限公司
出处
《科技风》
2015年第15期128-128,共1页
文摘
在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜。目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的。本文就是针对这三种清洗液展开讨论,浅谈清洗液对于硅片背面Cu污染的清洗。
关键词
铜污染
单片清洗
硅片背面
刻蚀
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
造孔剂含量对树脂结合剂硅片减薄砂轮磨削性能的影响
被引量:
1
4
作者
惠珍
赵延军
张高亮
赵炯
丁玉龙
叶腾飞
孙冠男
熊华军
机构
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
超硬材料磨具国家重点实验室
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2019年第4期62-65,共4页
文摘
为改善硅片背面减薄效果,在树脂结合剂硅片减薄砂轮里添加造孔剂.通过体积密度测试、扫描电镜观察和磨削实验,研究造孔剂含量对树脂结合剂砂轮结构和磨削性能的影响.结果表明:随着造孔剂体积分数增加、投料比降低,砂轮内部孔隙率增大;且磨削实验证明造孔剂可以提高硅片的表面质量.当造孔剂添加体积分数在10%、体积密度投料比控制在75%时,树脂结合剂硅片减薄砂轮在磨削过程中具有较好的综合磨削性能,磨削出来的硅片表面粗糙度R a、R z、R y值波动范围小,与其他条件下的砂轮磨削的硅片相比,表面一致性好.
关键词
硅片背面
减薄砂轮
气孔率
磨纹
哈量粗糙度值
Keywords
silicon wafer back thinning grinding wheel
porosity
abrasion pattern
the hardness value
分类号
TQ164 [化学工程—高温制品工业]
TG74 [金属学及工艺—刀具与模具]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展
康仁科
郭东明
霍风伟
金洙吉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
26
下载PDF
职称材料
2
硅片背面铜污染的清洗
陈波
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
下载PDF
职称材料
3
浅谈硅片背面铜污染的清洗
刘永刚
《科技风》
2015
1
下载PDF
职称材料
4
造孔剂含量对树脂结合剂硅片减薄砂轮磨削性能的影响
惠珍
赵延军
张高亮
赵炯
丁玉龙
叶腾飞
孙冠男
熊华军
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
已选择
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