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硅片清洗及最新发展
被引量:
28
1
作者
刘红艳
万关良
闫志瑞
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期144-149,共6页
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,...
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,指出了硅片清洗工艺的发展趋势。
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关键词
硅片
硅片
清洗
硅片表面微观状态
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职称材料
题名
硅片清洗及最新发展
被引量:
28
1
作者
刘红艳
万关良
闫志瑞
机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
出处
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期144-149,共6页
文摘
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,指出了硅片清洗工艺的发展趋势。
关键词
硅片
硅片
清洗
硅片表面微观状态
Keywords
silicon wafer
silicon wafer cleaning
silicon wafer surface micro-condition
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅片清洗及最新发展
刘红艳
万关良
闫志瑞
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
28
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