金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究(英文)

采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O84-),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA清洗进行对比实验,并应用X射线光电子谱和原子力显微镜进行清洗效果的检测,结果表明,本清洗工艺处理后的硅片表面有机碳含量更少,微粗糙度小,明显优于现有的RCA清洗工艺.

制取高浓度臭氧超净水方法及其设备

采用超窄间隙介质阻挡电离放电方法将氧离解、电离、电离离解成低温氧等离子体,其中O^-和O_2(a^1Δg)等活性粒子在电场中反应生成高浓度臭氧O_3,臭氧浓度达到286 mg/L。臭氧产生设备输出高浓度臭氧输送给气液溶解混合装置,将高浓度臭氧强激励溶解于超净水中形成高浓度臭氧超净水,仅用3 min其浓度达到54.6 mg/L。所形成高浓度超净臭氧水将把硅片表面颗粒物、金属离子、粘附有机物、自然氧化膜等消除掉。解决硅片表面存在的质量技术问题。